სილიციუმის კარბიდის სუბსტრატი იყოფა ნახევრად საიზოლაციო და გამტარ ტიპად. ამჟამად, ნახევრად იზოლირებული სილიციუმის კარბიდის სუბსტრატის პროდუქტების ძირითადი სპეციფიკაცია არის 4 ინჩი. გამტარ სილიციუმის კარბიდის ბაზარზე, სუბსტრატის ამჟამინდელი პროდუქტის სპეციფიკაცია არის 6 ინჩი.
ქვედა დინების გამოყენების გამო RF სფეროში, ნახევრად იზოლირებული SiC სუბსტრატები და ეპიტაქსიალური მასალები ექვემდებარება ექსპორტის კონტროლს აშშ-ს ვაჭრობის დეპარტამენტის მიერ. ნახევრად იზოლირებული SiC, როგორც სუბსტრატი, სასურველი მასალაა GaN ჰეტეროეპიტაქსიისთვის და აქვს მნიშვნელოვანი გამოყენების პერსპექტივები მიკროტალღურ ველში. საფირონის 14% და Si 16,9%-ის კრისტალური შეუსაბამობასთან შედარებით, SiC და GaN მასალების კრისტალური შეუსაბამობა არის მხოლოდ 3,4%. SiC-ის ულტრა მაღალ თბოგამტარობასთან ერთად, მის მიერ მომზადებულ მაღალი ენერგოეფექტურობის LED და GaN მაღალი სიხშირის და მაღალი სიმძლავრის მიკროტალღურ მოწყობილობებს აქვთ დიდი უპირატესობა რადარებში, მაღალი სიმძლავრის მიკროტალღურ მოწყობილობებში და 5G საკომუნიკაციო სისტემებში.
ნახევრად იზოლირებული SiC სუბსტრატის კვლევა და განვითარება ყოველთვის იყო SiC ერთკრისტალური სუბსტრატის კვლევისა და განვითარების ყურადღების ცენტრში. ნახევრად იზოლირებული SiC მასალების მოყვანაში ორი ძირითადი სირთულეა:
1) გრაფიტის ჭურჭლის, თბოიზოლაციის ადსორბციით და დოპინგით შემოტანილი N დონორის მინარევების შემცირება ფხვნილში;
2) ბროლის ხარისხისა და ელექტრული თვისებების უზრუნველსაყოფად, შემოღებულია ღრმა დონის ცენტრი, რათა კომპენსირება მოახდინოს ზედაპირული დონის ნარჩენი მინარევებისაგან ელექტრული აქტივობით.
ამჟამად, ნახევრად იზოლირებული SiC წარმოების სიმძლავრის მქონე მწარმოებლები არიან ძირითადად SICC Co, Semisic Crystal Co, Tanke Blue Co, Hebei Synlight Crystal Co., Ltd.
გამტარ SiC კრისტალი მიიღწევა მზარდი ატმოსფეროში აზოტის შეყვანით. გამტარი სილიციუმის კარბიდის სუბსტრატი ძირითადად გამოიყენება ენერგეტიკული მოწყობილობების წარმოებაში, სილიციუმის კარბიდის სიმძლავრის მოწყობილობები მაღალი ძაბვით, მაღალი დენით, მაღალი ტემპერატურით, მაღალი სიხშირით, დაბალი დანაკარგებით და სხვა უნიკალური უპირატესობებით, მნიშვნელოვნად გააუმჯობესებს სილიკონზე დაფუძნებული ელექტრო მოწყობილობების ენერგიის არსებულ გამოყენებას კონვერტაციის ეფექტურობა, აქვს მნიშვნელოვანი და შორსმიმავალი ზემოქმედება ენერგიის ეფექტური კონვერტაციის სფეროში. გამოყენების ძირითადი სფეროებია ელექტრო სატრანსპორტო საშუალებები/დამუხტვის წყობები, ფოტოელექტრული ახალი ენერგია, სარკინიგზო ტრანზიტი, ჭკვიანი ქსელი და ა.შ. იმის გამო, რომ გამტარი პროდუქტების ქვედა დინებაში ძირითადად ელექტრომობილების, ფოტოელექტრული და სხვა სფეროების ელექტრო მოწყობილობებია, გამოყენების პერსპექტივა უფრო ფართოა და მწარმოებლები უფრო მრავალრიცხოვანი.
სილიციუმის კარბიდის კრისტალური ტიპი: საუკეთესო 4H კრისტალური სილიციუმის კარბიდის ტიპიური სტრუქტურა შეიძლება დაიყოს ორ კატეგორიად, ერთი არის კუბური სილიციუმის კარბიდის კრისტალური ტიპის სფალერიტის სტრუქტურა, რომელიც ცნობილია როგორც 3C-SiC ან β-SiC, ხოლო მეორე არის ექვსკუთხა. ან დიდი პერიოდის სტრუქტურის ალმასის სტრუქტურა, რომელიც დამახასიათებელია 6H-SiC, 4H-sic, 15R-SiC და ა.შ., ერთობლივად ცნობილი, როგორც α-SiC. 3C-SiC-ს აქვს მაღალი წინააღმდეგობის უპირატესობა საწარმოო მოწყობილობებში. თუმცა, დიდმა შეუსაბამობამ Si და SiC გისოსების მუდმივებსა და თერმული გაფართოების კოეფიციენტებს შორის შეიძლება გამოიწვიოს დეფექტების დიდი რაოდენობა 3C-SiC ეპიტაქსიალურ ფენაში. 4H-SiC-ს აქვს დიდი პოტენციალი MOSFET-ების წარმოებაში, რადგან მისი კრისტალური ზრდის და ეპიტაქსიალური შრის ზრდის პროცესები უფრო შესანიშნავია, ხოლო ელექტრონების მობილურობის თვალსაზრისით, 4H-SiC უფრო მაღალია ვიდრე 3C-SiC და 6H-SiC, რაც უზრუნველყოფს მიკროტალღურ მახასიათებლებს 4H-სთვის. -SiC MOSFET-ები.
თუ არის დარღვევა, კონტაქტი წაშალეთ
გამოქვეყნების დრო: ივლის-16-2024