სიახლეები
-
თხელფენოვანი ლითიუმის ტანტალატი (LTOI): შემდეგი ვარსკვლავური მასალა მაღალსიჩქარიანი მოდულატორებისთვის?
თხელფენოვანი ლითიუმის ტანტალატი (LTOI) მასალა ინტეგრირებული ოპტიკის სფეროში მნიშვნელოვან ახალ ძალად იქცევა. წელს გამოქვეყნდა LTOI მოდულატორებზე რამდენიმე მაღალი დონის ნაშრომი, მაღალი ხარისხის LTOI ვაფლებით, რომლებიც შანხაის ინსტიტუტის პროფესორმა სინ ოუმ მოგვაწოდა...დაწვრილებით -
SPC სისტემის ღრმა გაგება ვაფლის წარმოებაში
SPC (სტატისტიკური პროცესის კონტროლი) ვაფლის წარმოების პროცესში უმნიშვნელოვანესი ინსტრუმენტია, რომელიც გამოიყენება წარმოების სხვადასხვა ეტაპის მონიტორინგის, კონტროლისა და სტაბილურობის გასაუმჯობესებლად. 1. SPC სისტემის მიმოხილვა SPC არის მეთოდი, რომელიც იყენებს სტა...დაწვრილებით -
რატომ ტარდება ეპიტაქსია ვაფლის სუბსტრატზე?
სილიციუმის ვაფლის სუბსტრატზე სილიციუმის ატომების დამატებითი ფენის გაზრდას რამდენიმე უპირატესობა აქვს: CMOS სილიციუმის პროცესებში, ვაფლის სუბსტრატზე ეპიტაქსიური ზრდა (EPI) პროცესის კრიტიკული ეტაპია. 1. კრისტალის ხარისხის გაუმჯობესება...დაწვრილებით -
ვაფლის გაწმენდის პრინციპები, პროცესები, მეთოდები და აღჭურვილობა
სველი წმენდა (Wet Clean) ნახევარგამტარების წარმოების პროცესების ერთ-ერთი კრიტიკული ეტაპია, რომლის მიზანია ვაფლის ზედაპირიდან სხვადასხვა დამაბინძურებლების მოშორება, რათა უზრუნველყოფილი იყოს შემდგომი პროცესის ეტაპების სუფთა ზედაპირზე შესრულება. ...დაწვრილებით -
კრისტალური სიბრტყეებისა და კრისტალის ორიენტაციის ურთიერთკავშირი.
კრისტალური სიბრტყეები და კრისტალის ორიენტაცია კრისტალოგრაფიაში ორი ძირითადი კონცეფციაა, რომლებიც მჭიდრო კავშირშია სილიციუმზე დაფუძნებული ინტეგრირებული სქემების ტექნოლოგიაში კრისტალურ სტრუქტურასთან. 1. კრისტალის ორიენტაციის განმარტება და თვისებები კრისტალის ორიენტაცია წარმოადგენს კონკრეტულ მიმართულებას...დაწვრილებით -
რა უპირატესობები აქვს Through Glass Via (TGV) და Through Silicone Via, TSV (TSV) პროცესებს TGV-თან შედარებით?
მინის გამტარი (TGV) და სილიციუმის გამტარი (TSV) პროცესების უპირატესობები TGV-სთან შედარებით ძირითადად შემდეგია: (1) შესანიშნავი მაღალსიხშირული ელექტრული მახასიათებლები. მინის მასალა იზოლატორული მასალაა, მისი დიელექტრული მუდმივა სილიციუმის მასალის დიელექტრული მუდმივის მხოლოდ დაახლოებით 1/3-ია, ხოლო დანაკარგის კოეფიციენტი 2-...დაწვრილებით -
გამტარი და ნახევრად იზოლირებული სილიციუმის კარბიდის სუბსტრატის გამოყენება
სილიციუმის კარბიდის სუბსტრატი იყოფა ნახევრად იზოლირებულ და გამტარ ტიპებად. ამჟამად, ნახევრად იზოლირებული სილიციუმის კარბიდის სუბსტრატის პროდუქტების ძირითადი სპეციფიკაცია 4 ინჩია. გამტარ სილიციუმის კარბიდის მასალებში...დაწვრილებით -
არსებობს თუ არა განსხვავებები საფირონის ვაფლების გამოყენებაში სხვადასხვა კრისტალური ორიენტაციით?
საფირონი არის ალუმინის ერთკრისტალი, ეკუთვნის სამმხრივ კრისტალურ სისტემას, ექვსკუთხა სტრუქტურას, მისი კრისტალური სტრუქტურა შედგება სამი ჟანგბადის ატომისა და ორი ალუმინის ატომისგან კოვალენტური ბმის ტიპის, მოწყობილი ძალიან მჭიდროდ, ძლიერი შემაკავშირებელი ჯაჭვით და ბადისებრი ენერგიით, ხოლო მისი კრისტალური ინტეგრაცია...დაწვრილებით -
რა განსხვავებაა SiC გამტარ სუბსტრატსა და ნახევრად იზოლირებულ სუბსტრატს შორის?
SiC სილიციუმის კარბიდის მოწყობილობა ეხება სილიციუმის კარბიდისგან, როგორც ნედლეულისგან დამზადებულ მოწყობილობას. სხვადასხვა წინააღმდეგობის თვისებების მიხედვით, იგი იყოფა გამტარ სილიციუმის კარბიდის ენერგომოწყობილობებად და ნახევრად იზოლირებულ სილიციუმის კარბიდის რადიოსიხშირულ მოწყობილობებად. მოწყობილობის ძირითადი ფორმები და...დაწვრილებით -
სტატია დაგეხმარებათ TGV-ის ოსტატობაში
რა არის TGV? TGV (Through-Glass via), მინის სუბსტრატზე გამჭოლი ხვრელების შექმნის ტექნოლოგია. მარტივად რომ ვთქვათ, TGV არის მაღალსართულიანი შენობა, რომელიც ამუშავებს, ავსებს და აკავშირებს მინას ზემოთ და ქვემოთ, რათა ააწყოს ინტეგრირებული სქემები მინის იატაკზე...დაწვრილებით -
რა ინდიკატორებით ხდება ვაფლის ზედაპირის ხარისხის შეფასება?
ნახევარგამტარული ტექნოლოგიების უწყვეტ განვითარებასთან ერთად, ნახევარგამტარულ ინდუსტრიაში და ფოტოელექტრულ ინდუსტრიაშიც კი, ვაფლის სუბსტრატის ან ეპიტაქსიური ფურცლის ზედაპირის ხარისხის მოთხოვნებიც ძალიან მკაცრია. მაშ, რა არის ხარისხის მოთხოვნები...დაწვრილებით -
რა იცით SiC მონოკრისტალების ზრდის პროცესის შესახებ?
სილიციუმის კარბიდი (SiC), როგორც ფართო ზოლური უფსკრულის მქონე ნახევარგამტარული მასალა, სულ უფრო მნიშვნელოვან როლს ასრულებს თანამედროვე მეცნიერებისა და ტექნოლოგიების გამოყენებაში. სილიციუმის კარბიდს აქვს შესანიშნავი თერმული სტაბილურობა, ელექტრული ველის მაღალი ტოლერანტობა, განზრახ გამტარობა და...დაწვრილებით