გალიუმის ნიტრიდის (GaN) ენერგომოწყობილობების გამოყენება მკვეთრად იზრდება, რასაც ჩინელი სამომხმარებლო ელექტრონიკის მომწოდებლები უძღვებიან და მოსალოდნელია, რომ 2027 წლისთვის GaN-ის ენერგომოწყობილობების ბაზარი 2 მილიარდ დოლარს მიაღწევს, 2021 წლის 126 მილიონი დოლარიდან. ამჟამად, სამომხმარებლო ელექტრონიკის სექტორი გალიუმის ნიტრიდის დანერგვის მთავარი მამოძრავებელი ძალაა, სააგენტო კი პროგნოზირებს, რომ სამომხმარებლო ელექტრონიკის ბაზარზე GaN-ის ენერგომოწყობილობებზე მოთხოვნა 2021 წლის 79.6 მილიონი დოლარიდან 2027 წელს 964.7 მილიონ დოლარამდე გაიზრდება, რაც წლიური ზრდის 52 პროცენტიანი ტემპია.
GaN მოწყობილობებს ახასიათებთ მაღალი სტაბილურობა, კარგი თბოგამძლეობა, ელექტროგამტარობა და სითბოს გაფრქვევა. სილიკონის კომპონენტებთან შედარებით, GaN მოწყობილობებს აქვთ უფრო მაღალი ელექტრონების სიმკვრივე და მობილურობა. GaN მოწყობილობები ძირითადად გამოიყენება სამომხმარებლო ელექტრონიკის ბაზარზე სწრაფი დატენვისთვის, ასევე კომუნიკაციებისა და ფართოზოლოვანი ინტერნეტის აპლიკაციებისთვის.
ინდუსტრიის წარმომადგენლების თქმით, მიუხედავად იმისა, რომ სამომხმარებლო ელექტრონიკის ბაზარი სუსტი რჩება, GaN მოწყობილობების პერსპექტივა კვლავ კარგი რჩება. GaN ბაზრისთვის ჩინელმა მწარმოებლებმა საქმიანობა სუბსტრატის, ეპიტაქსიური, დიზაინისა და კონტრაქტული წარმოების სფეროებში განახორციელეს. ჩინეთის GaN ეკოსისტემაში ორი ყველაზე მნიშვნელოვანი მწარმოებელია Innoseco და Xiamen SAN 'an IC.
GaN სექტორში მოღვაწე სხვა ჩინურ კომპანიებს შორისაა სუბსტრატის მწარმოებელი Suzhou Nawei Technology Co., LTD., Dongguan Zhonggan Semiconductor Technology Co., LTD., ეპიტაქსიის მიმწოდებელი Suzhou Jingzhan Semiconductor Co., LTD., Jiangsu Nenghua Microelectronics Technology Development Co., LTD. და Chengdu Haiwei Huaxin Technology Co., LTD.
„სუჯოუ ნავეი ტექნოლოჯი“ ორიენტირებულია გალიუმის ნიტრიდის (GaN) მონოკრისტალური სუბსტრატის კვლევაზე, განვითარებასა და ინდუსტრიალიზაციაზე, რომელიც მესამე თაობის ნახევარგამტარის ძირითადი მასალაა. 10 წლიანი ძალისხმევის შემდეგ, „ნავეი ტექნოლოჯიმ“ განახორციელა 2 დიუმიანი გალიუმის ნიტრიდის მონოკრისტალური სუბსტრატის წარმოება, დაასრულა 4 დიუმიანი პროდუქტების საინჟინრო ტექნოლოგიის შემუშავება და 6 დიუმიანი ძირითადი ტექნოლოგიის გარღვევა. ამჟამად ის ერთადერთია ჩინეთში და მსოფლიოში ერთ-ერთი იმ მცირერიცხოვანთაგანია, რომელსაც შეუძლია 2 დიუმიანი გალიუმის ნიტრიდის მონოკრისტალური პროდუქტების დიდი რაოდენობით მიწოდება. გალიუმის ნიტრიდის პროდუქტის მუშაობის ინდექსი მსოფლიოში წამყვანია. მომდევნო 3 წლის განმავლობაში ჩვენ ყურადღებას გავამახვილებთ ტექნოლოგიური უპირატესობის გლობალურ ბაზარზე უპირატესობად გარდაქმნაზე.
GaN ტექნოლოგიის განვითარებასთან ერთად, მისი გამოყენება გაფართოვდება სამომხმარებლო ელექტრონიკისთვის განკუთვნილი სწრაფი დამტენი პროდუქტებიდან პერსონალური კომპიუტერების, სერვერებისა და ტელევიზორების კვების წყაროებამდე. ისინი ასევე ფართოდ გამოიყენება ავტომობილის დამტენებსა და ელექტრომობილების გადამყვანებში.
გამოქვეყნების დრო: 2023 წლის 18 აპრილი