კომპანიის სიახლეები
-
LiTaO3 ვაფლის PIC — დაბალი დანაკარგის მქონე ლითიუმის ტანტალატი იზოლატორზე ტალღგამტარი ჩიპზე არაწრფივი ფოტონიკისთვის
რეზიუმე: ჩვენ შევიმუშავეთ 1550 ნმ იზოლატორზე დაფუძნებული ლითიუმ-ტანტალატის ტალღგამტარი, რომლის დანაკარგი 0.28 დბ/სმ და რგოლისეზონატორის ხარისხის კოეფიციენტი 1.1 მილიონია. შესწავლილია χ(3) არაწრფივობის გამოყენება არაწრფივ ფოტონიკაში. ლითიუმის ნიობატის უპირატესობები...დაწვრილებით -
XKH - ცოდნის გაზიარება - რა არის ვაფლის დაქუცმაცების ტექნოლოგია?
ვაფლის დაქუცმაცების ტექნოლოგია, როგორც ნახევარგამტარული წარმოების პროცესის კრიტიკული ეტაპი, პირდაპირ კავშირშია ჩიპის მუშაობასთან, მოსავლიანობასთან და წარმოების ხარჯებთან. #01 ვაფლის დაქუცმაცების ისტორია და მნიშვნელობა 1.1 ვაფლის დაქუცმაცების განმარტება ვაფლის დაქუცმაცება (ასევე ცნობილი როგორც სკრიპ...)დაწვრილებით -
თხელფენოვანი ლითიუმის ტანტალატი (LTOI): შემდეგი ვარსკვლავური მასალა მაღალსიჩქარიანი მოდულატორებისთვის?
თხელფენოვანი ლითიუმის ტანტალატი (LTOI) მასალა ინტეგრირებული ოპტიკის სფეროში მნიშვნელოვან ახალ ძალად იქცევა. წელს გამოქვეყნდა LTOI მოდულატორებზე რამდენიმე მაღალი დონის ნაშრომი, მაღალი ხარისხის LTOI ვაფლებით, რომლებიც შანხაის ინსტიტუტის პროფესორმა სინ ოუმ მოგვაწოდა...დაწვრილებით -
SPC სისტემის ღრმა გაგება ვაფლის წარმოებაში
SPC (სტატისტიკური პროცესის კონტროლი) ვაფლის წარმოების პროცესში უმნიშვნელოვანესი ინსტრუმენტია, რომელიც გამოიყენება წარმოების სხვადასხვა ეტაპის მონიტორინგის, კონტროლისა და სტაბილურობის გასაუმჯობესებლად. 1. SPC სისტემის მიმოხილვა SPC არის მეთოდი, რომელიც იყენებს სტა...დაწვრილებით -
რატომ ტარდება ეპიტაქსია ვაფლის სუბსტრატზე?
სილიციუმის ვაფლის სუბსტრატზე სილიციუმის ატომების დამატებითი ფენის გაზრდას რამდენიმე უპირატესობა აქვს: CMOS სილიციუმის პროცესებში, ვაფლის სუბსტრატზე ეპიტაქსიური ზრდა (EPI) პროცესის კრიტიკული ეტაპია. 1. კრისტალის ხარისხის გაუმჯობესება...დაწვრილებით -
ვაფლის გაწმენდის პრინციპები, პროცესები, მეთოდები და აღჭურვილობა
სველი წმენდა (Wet Clean) ნახევარგამტარების წარმოების პროცესების ერთ-ერთი კრიტიკული ეტაპია, რომლის მიზანია ვაფლის ზედაპირიდან სხვადასხვა დამაბინძურებლების მოშორება, რათა უზრუნველყოფილი იყოს შემდგომი პროცესის ეტაპების სუფთა ზედაპირზე შესრულება. ...დაწვრილებით -
კრისტალური სიბრტყეებისა და კრისტალის ორიენტაციის ურთიერთკავშირი.
კრისტალური სიბრტყეები და კრისტალის ორიენტაცია კრისტალოგრაფიაში ორი ძირითადი კონცეფციაა, რომლებიც მჭიდრო კავშირშია სილიციუმზე დაფუძნებული ინტეგრირებული სქემების ტექნოლოგიაში კრისტალურ სტრუქტურასთან. 1. კრისტალის ორიენტაციის განმარტება და თვისებები კრისტალის ორიენტაცია წარმოადგენს კონკრეტულ მიმართულებას...დაწვრილებით