ინდუსტრიის სიახლეები
-
მესამე თაობის ნახევარგამტარის ამომავალი ვარსკვლავი: გალიუმის ნიტრიდი - მომავალში რამდენიმე ახალი ზრდის წერტილი
სილიციუმის კარბიდის მოწყობილობებთან შედარებით, გალიუმის ნიტრიდის ენერგომოწყობილობებს მეტი უპირატესობა ექნებათ იმ სცენარებში, სადაც ერთდროულად საჭიროა ეფექტურობა, სიხშირე, მოცულობა და სხვა ყოვლისმომცველი ასპექტები, მაგალითად, გალიუმის ნიტრიდზე დაფუძნებული მოწყობილობები წარმატებით იქნა გამოყენებული...დაწვრილებით -
შიდა GaN ინდუსტრიის განვითარება დაჩქარდა.
გალიუმის ნიტრიდის (GaN) ენერგომოწყობილობების გამოყენება მკვეთრად იზრდება, რასაც ჩინელი სამომხმარებლო ელექტრონიკის მომწოდებლები ლიდერობენ და GaN ენერგომოწყობილობების ბაზარი, სავარაუდოდ, 2027 წლისთვის 2 მილიარდ დოლარს მიაღწევს, 2021 წლის 126 მილიონი დოლარიდან. ამჟამად, სამომხმარებლო ელექტრონიკის სექტორი გალიუმის ნიტრიდის მთავარი მამოძრავებელი ძალაა...დაწვრილებით