სიახლეები
-
გაპრიალებული ერთკრისტალური სილიციუმის ვაფლების სპეციფიკაციები და პარამეტრები
ნახევარგამტარული ინდუსტრიის სწრაფი განვითარების პროცესში, გაპრიალებული ერთკრისტალური სილიციუმის ვაფლები გადამწყვეტ როლს თამაშობენ. ისინი სხვადასხვა მიკროელექტრონული მოწყობილობების წარმოებისთვის ფუნდამენტურ მასალას წარმოადგენენ. რთული და ზუსტი ინტეგრირებული სქემებიდან დაწყებული, მაღალსიჩქარიანი მიკროპროცესორებით დამთავრებული...წაიკითხეთ მეტი -
როგორ გადადის სილიციუმის კარბიდი (SiC) AR სათვალეებში?
გაფართოებული რეალობის (AR) ტექნოლოგიის სწრაფი განვითარებით, ჭკვიანი სათვალეები, როგორც AR ტექნოლოგიის მნიშვნელოვანი მატარებელი, თანდათან გადადის კონცეფციიდან რეალობაში. თუმცა, ჭკვიანი სათვალეების ფართოდ გავრცელება კვლავ ბევრ ტექნიკურ გამოწვევას აწყდება, განსაკუთრებით ეკრანის თვალსაზრისით...წაიკითხეთ მეტი -
XINKEHUI ფერადი საფირონის კულტურული გავლენა და სიმბოლიზმი
XINKEHUI-ს ფერადი საფირონების კულტურული გავლენა და სიმბოლიზმი სინთეზური ძვირფასი ქვების ტექნოლოგიის განვითარებამ საფირონების, ლალის და სხვა კრისტალების მრავალფეროვან ფერებში ხელახლა შექმნის საშუალება მოგვცა. ეს ფერები არა მხოლოდ ინარჩუნებს ბუნებრივი ძვირფასი ქვების ვიზუალურ ხიბლს, არამედ კულტურულ მნიშვნელობასაც ატარებს...წაიკითხეთ მეტი -
საფირონის საათის კორპუსი მსოფლიოში ახალი ტენდენციაა - XINKEHUI გთავაზობთ მრავალ ვარიანტს
საფირონის საათების კორპუსებმა სულ უფრო მეტი პოპულარობა მოიპოვეს ფუფუნების საათების ინდუსტრიაში მათი განსაკუთრებული გამძლეობის, ნაკაწრებისადმი მდგრადობისა და მკაფიო ესთეტიკური მიმზიდველობის გამო. ცნობილია თავისი სიმტკიცითა და ყოველდღიური ცვეთისადმი გამძლეობით, ამავდროულად ინარჩუნებს იდეალურ იერსახეს...წაიკითხეთ მეტი -
LiTaO3 ვაფლის PIC — დაბალი დანაკარგის მქონე ლითიუმის ტანტალატი იზოლატორზე ტალღგამტარი ჩიპზე არაწრფივი ფოტონიკისთვის
რეზიუმე: ჩვენ შევიმუშავეთ 1550 ნმ იზოლატორზე დაფუძნებული ლითიუმ-ტანტალატის ტალღგამტარი, რომლის დანაკარგი 0.28 დბ/სმ და რგოლისეზონატორის ხარისხის კოეფიციენტი 1.1 მილიონია. შესწავლილია χ(3) არაწრფივობის გამოყენება არაწრფივ ფოტონიკაში. ლითიუმის ნიობატის უპირატესობები...წაიკითხეთ მეტი -
XKH - ცოდნის გაზიარება - რა არის ვაფლის დაქუცმაცების ტექნოლოგია?
ვაფლის დაქუცმაცების ტექნოლოგია, როგორც ნახევარგამტარული წარმოების პროცესის კრიტიკული ეტაპი, პირდაპირ კავშირშია ჩიპის მუშაობასთან, მოსავლიანობასთან და წარმოების ხარჯებთან. #01 ვაფლის დაქუცმაცების ისტორია და მნიშვნელობა 1.1 ვაფლის დაქუცმაცების განმარტება ვაფლის დაქუცმაცება (ასევე ცნობილი როგორც სკრიპ...)წაიკითხეთ მეტი -
თხელფენოვანი ლითიუმის ტანტალატი (LTOI): შემდეგი ვარსკვლავური მასალა მაღალსიჩქარიანი მოდულატორებისთვის?
თხელფენოვანი ლითიუმის ტანტალატი (LTOI) მასალა ინტეგრირებული ოპტიკის სფეროში მნიშვნელოვან ახალ ძალად იქცევა. წელს გამოქვეყნდა LTOI მოდულატორებზე რამდენიმე მაღალი დონის ნაშრომი, მაღალი ხარისხის LTOI ვაფლებით, რომლებიც შანხაის ინსტიტუტის პროფესორმა სინ ოუმ მოგვაწოდა...წაიკითხეთ მეტი -
SPC სისტემის ღრმა გაგება ვაფლის წარმოებაში
SPC (სტატისტიკური პროცესის კონტროლი) ვაფლის წარმოების პროცესში უმნიშვნელოვანესი ინსტრუმენტია, რომელიც გამოიყენება წარმოების სხვადასხვა ეტაპის მონიტორინგის, კონტროლისა და სტაბილურობის გასაუმჯობესებლად. 1. SPC სისტემის მიმოხილვა SPC არის მეთოდი, რომელიც იყენებს სტა...წაიკითხეთ მეტი -
რატომ ტარდება ეპიტაქსია ვაფლის სუბსტრატზე?
სილიციუმის ვაფლის სუბსტრატზე სილიციუმის ატომების დამატებითი ფენის გაზრდას რამდენიმე უპირატესობა აქვს: CMOS სილიციუმის პროცესებში, ვაფლის სუბსტრატზე ეპიტაქსიური ზრდა (EPI) პროცესის კრიტიკული ეტაპია. 1. კრისტალის ხარისხის გაუმჯობესება...წაიკითხეთ მეტი -
ვაფლის გაწმენდის პრინციპები, პროცესები, მეთოდები და აღჭურვილობა
სველი წმენდა (Wet Clean) ნახევარგამტარების წარმოების პროცესების ერთ-ერთი კრიტიკული ეტაპია, რომლის მიზანია ვაფლის ზედაპირიდან სხვადასხვა დამაბინძურებლების მოშორება, რათა უზრუნველყოფილი იყოს შემდგომი პროცესის ეტაპების სუფთა ზედაპირზე შესრულება. ...წაიკითხეთ მეტი -
კრისტალური სიბრტყეებისა და კრისტალის ორიენტაციის ურთიერთკავშირი.
კრისტალური სიბრტყეები და კრისტალის ორიენტაცია კრისტალოგრაფიაში ორი ძირითადი კონცეფციაა, რომლებიც მჭიდრო კავშირშია სილიციუმზე დაფუძნებული ინტეგრირებული სქემების ტექნოლოგიაში კრისტალურ სტრუქტურასთან. 1. კრისტალის ორიენტაციის განმარტება და თვისებები კრისტალის ორიენტაცია წარმოადგენს კონკრეტულ მიმართულებას...წაიკითხეთ მეტი -
რა უპირატესობები აქვს Through Glass Via (TGV) და Through Silicone Via, TSV (TSV) პროცესებს TGV-თან შედარებით?
მინის გამტარი (TGV) და სილიციუმის გამტარი (TSV) პროცესების უპირატესობები TGV-სთან შედარებით ძირითადად შემდეგია: (1) შესანიშნავი მაღალსიხშირული ელექტრული მახასიათებლები. მინის მასალა იზოლატორული მასალაა, მისი დიელექტრული მუდმივა სილიციუმის მასალის დიელექტრული მუდმივის მხოლოდ დაახლოებით 1/3-ია, ხოლო დანაკარგის კოეფიციენტი 2-...წაიკითხეთ მეტი