ამჟამად, ჩვენს კომპანიას შეუძლია გააგრძელოს 8 ინჩიანი N ტიპის SiC ვაფლების მცირე პარტიის მიწოდება, თუ თქვენ გაქვთ ნიმუშების საჭიროება, გთხოვთ, დამიკავშირდეთ. ჩვენ გვაქვს ვაფლის რამდენიმე ნიმუში გასაგზავნად მზად.
ნახევარგამტარული მასალების სფეროში, კომპანიამ მნიშვნელოვანი გარღვევა მოახდინა დიდი ზომის SiC კრისტალების კვლევასა და განვითარებაში. დიამეტრის გადიდების მრავალჯერადი რაუნდის შემდეგ საკუთარი სათესლე კრისტალების გამოყენებით, კომპანიამ წარმატებით გაზარდა 8 დიუმიანი N-ტიპის SiC კრისტალები, რაც წყვეტს ისეთ რთულ პრობლემებს, როგორიცაა არათანაბარი ტემპერატურული ველი, კრისტალების ბზარები და აირადის ფაზის ნედლეულის განაწილება 8 დიუმიანი SIC კრისტალების ზრდის პროცესში და აჩქარებს დიდი ზომის SIC კრისტალების ზრდას და ავტონომიურ და კონტროლირებად დამუშავების ტექნოლოგიას. ეს მნიშვნელოვნად ზრდის კომპანიის ძირითად კონკურენტუნარიანობას SiC მონოკრისტალური სუბსტრატის ინდუსტრიაში. ამავდროულად, კომპანია აქტიურად უწყობს ხელს დიდი ზომის სილიციუმის კარბიდის სუბსტრატის მომზადების ექსპერიმენტული ხაზის ტექნოლოგიებისა და პროცესების დაგროვებას, აძლიერებს ტექნიკურ გაცვლას და სამრეწველო თანამშრომლობას ზედა და ქვედა დინების სფეროებში და თანამშრომლობს მომხმარებლებთან პროდუქტის მუშაობის მუდმივი გაუმჯობესების მიზნით და ერთობლივად უწყობს ხელს სილიციუმის კარბიდის მასალების სამრეწველო გამოყენების ტემპს.
| 8 დიუმიანი N-ტიპის SiC DSP-ის სპეციფიკაციები | |||||
| ნომერი | ნივთი | ერთეული | წარმოება | კვლევა | მანეკენი |
| 1. პარამეტრები | |||||
| 1.1 | პოლიტიპი | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | ზედაპირის ორიენტაცია | ° | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 |
| 2. ელექტრო პარამეტრი | |||||
| 2.1 | დოპანტი | -- | n-ტიპის აზოტი | n-ტიპის აზოტი | n-ტიპის აზოტი |
| 2.2 | წინაღობა | ოჰ · სმ | 0.015~0.025 | 0.01~0.03 | NA |
| 3. მექანიკური პარამეტრი | |||||
| 3.1 | დიამეტრი | mm | 200±0.2 | 200±0.2 | 200±0.2 |
| 3.2 | სისქე | მკმ | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | ჭრილის ორიენტაცია | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | ჭრილის სიღრმე | mm | 1~1.5 | 1~1.5 | 1~1.5 |
| 3.5 | LTV | მკმ | ≤5 (10 მმ * 10 მმ) | ≤5 (10 მმ * 10 მმ) | ≤10 (10 მმ*10 მმ) |
| 3.6 | TTV | მკმ | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | მშვილდი | მკმ | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | დეფორმაცია | მკმ | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | საჰაერო ძალები | nm | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 |
| 4. სტრუქტურა | |||||
| 4.1 | მიკრომილების სიმკვრივე | ea/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | ლითონის შემცველობა | ატომები/სმ2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | ტრანზიტის სტრატეგიის ინდექსი | ea/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | ინდექსის ცვლილება | ea/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | ტედი | ea/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. დადებითი ხარისხი | |||||
| 5.1 | წინა მხარე | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | ზედაპირის დასრულება | -- | Si-face CMP | Si-face CMP | Si-face CMP |
| 5.3 | ნაწილაკი | ვაფლი | ≤100 (ზომა ≥0.3 მკმ) | NA | NA |
| 5.4 | ნაკაწრი | ვაფლი | ≤5, საერთო სიგრძე ≤200 მმ | NA | NA |
| 5.5 | კიდე ნაკაწრები/ჩაღრმავებები/ბზარები/ლაქები/დაბინძურება | -- | არცერთი | არცერთი | NA |
| 5.6 | პოლიტიპური არეალი | -- | არცერთი | ფართობი ≤10% | ფართობი ≤30% |
| 5.7 | წინა მარკირება | -- | არცერთი | არცერთი | არცერთი |
| 6. უკანა მხარის ხარისხი | |||||
| 6.1 | უკანა დასრულება | -- | C-face MP | C-face MP | C-face MP |
| 6.2 | ნაკაწრი | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | უკანა დეფექტები კიდურზე ჩიპები/ჩაღრმავებები | -- | არცერთი | არცერთი | NA |
| 6.4 | ზურგის უხეშობა | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | უკანა მარკირება | -- | ნაჭდევი | ნაჭდევი | ნაჭდევი |
| 7. კიდე | |||||
| 7.1 | კიდე | -- | ხრახნიანი | ხრახნიანი | ხრახნიანი |
| 8. პაკეტი | |||||
| 8.1 | შეფუთვა | -- | ეპი-მზადაა ვაკუუმით შეფუთვა | ეპი-მზადაა ვაკუუმით შეფუთვა | ეპი-მზადაა ვაკუუმით შეფუთვა |
| 8.2 | შეფუთვა | -- | მრავალვაფლიანი კასეტის შეფუთვა | მრავალვაფლიანი კასეტის შეფუთვა | მრავალვაფლიანი კასეტის შეფუთვა |
გამოქვეყნების დრო: 2023 წლის 18 აპრილი