ამჟამად, ჩვენს კომპანიას შეუძლია გააგრძელოს 8 დიუმიანი ტიპის SiC ვაფლის მცირე პარტიების მიწოდება, თუ თქვენ გაქვთ ნიმუშის საჭიროება, გთხოვთ, მოგერიდებათ დამიკავშირდეთ.ვაფლის რამდენიმე ნიმუში მზად გვაქვს გასაგზავნად.
ნახევარგამტარული მასალების სფეროში კომპანიამ დიდი გარღვევა მოახდინა დიდი ზომის SiC კრისტალების კვლევასა და განვითარებაში.დიამეტრის მრავალჯერადი გადიდების შემდეგ საკუთარი სათესლე კრისტალების გამოყენებით, კომპანიამ წარმატებით გააშენა 8 დიუმიანი N- ტიპის SiC კრისტალები, რომლებიც წყვეტს რთულ პრობლემებს, როგორიცაა ტემპერატურის არათანაბარი ველი, კრისტალების დაბზარვა და გაზის ფაზის ნედლეულის განაწილება ზრდის პროცესში. 8 დიუმიანი SIC კრისტალები და აჩქარებს დიდი ზომის SIC კრისტალების ზრდას და ავტონომიურ და კონტროლირებად დამუშავების ტექნოლოგიას.მნიშვნელოვნად გაზრდის კომპანიის ძირითად კონკურენტუნარიანობას SiC ერთკრისტალური სუბსტრატის ინდუსტრიაში.ამავდროულად, კომპანია აქტიურად უწყობს ხელს დიდი ზომის სილიციუმის კარბიდის სუბსტრატის მომზადების ექსპერიმენტული ხაზის ტექნოლოგიის დაგროვებას და პროცესს, აძლიერებს ტექნიკურ გაცვლას და სამრეწველო თანამშრომლობას ზედა და ქვედა დინების სფეროებში და თანამშრომლობს მომხმარებლებთან პროდუქტის მუშაობის მუდმივი გამეორებისთვის და ერთობლივად. ხელს უწყობს სილიციუმის კარბიდის მასალების სამრეწველო გამოყენების ტემპს.
| 8 დიუმიანი N- ტიპის SiC DSP სპეციფიკაციები | |||||
| ნომერი | ელემენტი | ერთეული | წარმოება | Კვლევა | მატყუარა |
| 1. პარამეტრები | |||||
| 1.1 | პოლიტიპი | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | ზედაპირის ორიენტაცია | ° | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 |
| 2. ელექტრო პარამეტრი | |||||
| 2.1 | დოპანტური | -- | n ტიპის აზოტი | n ტიპის აზოტი | n ტიპის აზოტი |
| 2.2 | წინააღმდეგობა | ohm · სმ | 0,015~0,025 | 0,01~0,03 | NA |
| 3. მექანიკური პარამეტრი | |||||
| 3.1 | დიამეტრი | mm | 200±0.2 | 200±0.2 | 200±0.2 |
| 3.2 | სისქე | მმ | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | ნაჭრის ორიენტაცია | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | ჩაჭრის სიღრმე | mm | 1~1,5 | 1~1,5 | 1~1,5 |
| 3.5 | LTV | მმ | ≤5 (10 მმ*10 მმ) | ≤5 (10 მმ*10 მმ) | ≤10 (10 მმ*10 მმ) |
| 3.6 | TTV | მმ | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | მშვილდი | მმ | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | გადახვევა | მმ | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 |
| 4. სტრუქტურა | |||||
| 4.1 | მიკრომილის სიმკვრივე | ea/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | ლითონის შემცველობა | ატომები/სმ2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | ea/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | BPD | ea/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | TED | ea/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. დადებითი ხარისხი | |||||
| 5.1 | წინა | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | ზედაპირის დასრულება | -- | Si-face CMP | Si-face CMP | Si-face CMP |
| 5.3 | ნაწილაკი | ეა/ვაფლი | ≤100 (ზომა≥0.3μm) | NA | NA |
| 5.4 | ნაკაწრი | ეა/ვაფლი | ≤5, საერთო სიგრძე≤200 მმ | NA | NA |
| 5.5 | ზღვარი ჩიპები / ჩაღრმავები / ბზარები / ლაქები / დაბინძურება | -- | არცერთი | არცერთი | NA |
| 5.6 | პოლიტიპური უბნები | -- | არცერთი | ფართობი ≤10% | ფართობი ≤30% |
| 5.7 | წინა მარკირება | -- | არცერთი | არცერთი | არცერთი |
| 6. ზურგის ხარისხი | |||||
| 6.1 | უკან დასრულება | -- | C-სახის დეპუტატი | C-სახის დეპუტატი | C-სახის დეპუტატი |
| 6.2 | ნაკაწრი | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | უკანა დეფექტები კიდეზე ჩიპები / ჩაღრმავები | -- | არცერთი | არცერთი | NA |
| 6.4 | ზურგის უხეშობა | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | უკანა მარკირება | -- | ჭრილი | ჭრილი | ჭრილი |
| 7. ზღვარი | |||||
| 7.1 | ზღვარი | -- | ჩამფერი | ჩამფერი | ჩამფერი |
| 8. პაკეტი | |||||
| 8.1 | შეფუთვა | -- | ეპი-მზადაა ვაკუუმით შეფუთვა | ეპი-მზადაა ვაკუუმით შეფუთვა | ეპი-მზადაა ვაკუუმით შეფუთვა |
| 8.2 | შეფუთვა | -- | მრავალ ვაფლი კასეტის შეფუთვა | მრავალ ვაფლი კასეტის შეფუთვა | მრავალ ვაფლი კასეტის შეფუთვა |
გამოქვეყნების დრო: აპრ-18-2023