Sic ოპტიკური ლინზა 6SP 10x10x10 მმ 4H-SEMI HPSI, მორგებული ზომა

მოკლე აღწერა:

SiC ოპტიკური ლინზა წარმოადგენს პრემიუმ კლასის ოპტიკურ კომპონენტს, რომელიც დაფუძნებულია სილიციუმის კარბიდის (SiC) მასალაზე და გამოირჩევა სრულად მორგებადი ზომებითა და გეომეტრიით. SiC-ის უმაღლესი ოპტიკური თვისებების გამოყენებით, მათ შორის ფართო გამტარობის ფანჯრებით, მაღალი გარდატეხის ინდექსით და ძლიერი არაწრფივი ოპტიკური კოეფიციენტებით, ეს ლინზები ფართო გამოყენებას პოულობს ფოტონიკაში, კვანტურ საინფორმაციო სისტემებსა და ინტეგრირებულ ფოტონიკაში.
ZMSH აწარმოებს მაღალი ხარისხის SiC ოპტიკურ ლინზებს (სილიციუმის კარბიდის ოპტიკური ლინზები) მორგებადი ზომებითა და გეომეტრიით, რათა დააკმაყოფილოს ოპტიკური სისტემის მრავალფეროვანი მოთხოვნები. მაღალი სისუფთავის სილიციუმის კარბიდის მასალებისგან დამზადებული ეს ლინზები გამოირჩევა განსაკუთრებული თერმული სტაბილურობით, მექანიკური სიმტკიცით და ოპტიკური მახასიათებლებით, რაც მათ იდეალურს ხდის მოწინავე აპლიკაციებისთვის, მათ შორის მაღალი სიმძლავრის ლაზერებისთვის, აერონავტიკის სისტემებისთვის და ინფრაწითელი ოპტიკისთვის.
მაღალი ტემპერატურისადმი განსაკუთრებული მდგრადობის, რადიაციული სიმტკიცისა და განსაკუთრებული მექანიკური სიმტკიცის გამო, SiC ოპტიკური ლინზები ფართოდ გამოიყენება აერონავტიკულ სისტემებში, LiDAR ტექნოლოგიებსა და ულტრაიისფერ ოპტიკურ სისტემებში. მასალის თვისებების მათი უნიკალური კომბინაცია უზრუნველყოფს საიმედო მუშაობას ექსტრემალურ გარემოში, უმაღლესი ოპტიკური მახასიათებლების შენარჩუნებით.

გამოგვიგზავნეთ ელ.წერილი

პროდუქტის დეტალები

პროდუქტის ტეგები

ძირითადი მახასიათებლები

ქიმიური შემადგენლობა	Al2O3
სიმტკიცე	9 მოჰსი
ოპტიკური ბუნება	ცალღერძიანი
რეფრაქციული ინდექსი	1.762-1.770
ორმაგი რეფრინგენტობა	0.008-0.010
დისპერსია	დაბალი, 0.018
ბრწყინვალება	მინისებრი სხეული
პლეოქროიზმი	საშუალოდან ძლიერამდე
დიამეტრი	0.4 მმ-30 მმ
დიამეტრის ტოლერანტობა	0.004 მმ-0.05 მმ
სიგრძე	2 მმ-150 მმ
სიგრძის ტოლერანტობა	0.03 მმ-0.25 მმ
ზედაპირის ხარისხი	40/20
ზედაპირის სიმრგვალე	RZ0.05
მორგებული ფორმა	ორივე ბოლო ბრტყელია, ერთი ბოლო რედიუსი, ორივე ბოლო რედიუსი, უნაგირის ქინძისთავები და სპეციალური ფორმები

ძირითადი მახასიათებლები

1. მაღალი გარდატეხის ინდექსი და ფართო გამტარობის ფანჯარა: SiC ოპტიკური ლინზები ავლენენ გამორჩეულ ოპტიკურ მაჩვენებლებს, დაახლოებით 2.6-2.7 გარდატეხის ინდექსით მთელ ოპერაციულ სპექტრში. ეს ფართო გამტარობის ფანჯარა (600-1850 ნმ) მოიცავს როგორც ხილულ, ასევე ახლო ინფრაწითელ რეგიონებს, რაც მათ განსაკუთრებით ღირებულს ხდის მრავალსპექტრული ვიზუალიზაციის სისტემებისა და ფართოზოლოვანი ოპტიკური აპლიკაციებისთვის. მასალის დაბალი შთანთქმის კოეფიციენტი ამ დიაპაზონებში უზრუნველყოფს სიგნალის მინიმალურ შესუსტებას, მაღალი სიმძლავრის ლაზერული აპლიკაციების დროსაც კი.

2. განსაკუთრებული არაწრფივი ოპტიკური თვისებები: სილიციუმის კარბიდის უნიკალური კრისტალური სტრუქტურა მას ანიჭებს შესანიშნავ არაწრფივ ოპტიკურ კოეფიციენტებს (χ(2) ≈ 15 pm/V, χ(3) ≈ 10-20 m2/V2), რაც უზრუნველყოფს სიხშირის გადაქცევის ეფექტურ პროცესებს. ეს თვისებები აქტიურად გამოიყენება ისეთ უახლეს აპლიკაციებში, როგორიცაა ოპტიკური პარამეტრული ოსცილატორები, ულტრასწრაფი ლაზერული სისტემები და მთლიანად ოპტიკური სიგნალის დამუშავების მოწყობილობები. მასალის მაღალი დაზიანების ზღვარი (>5 გვტ/სმ2) კიდევ უფრო ზრდის მის ვარგისიანობას მაღალი ინტენსივობის აპლიკაციებისთვის.

3. მექანიკური და თერმული სტაბილურობა: 400 გპა-ს მიახლოებული ელასტიურობის მოდულით და 300 ვტ/მ·კ-ზე მეტი თბოგამტარობით, SiC ოპტიკური კომპონენტები ინარჩუნებენ განსაკუთრებულ სტაბილურობას მექანიკური დატვირთვისა და თერმული ციკლის დროს. თერმული გაფართოების ულტრადაბალი კოეფიციენტი (4.0×10-6/K) უზრუნველყოფს მინიმალურ ფოკუსურ ცვლას ტემპერატურის ცვალებადობისას, რაც კრიტიკული უპირატესობაა ზუსტი ოპტიკური სისტემებისთვის, რომლებიც მუშაობენ ცვალებად თერმულ გარემოში, როგორიცაა კოსმოსური აპლიკაციები ან სამრეწველო ლაზერული დამუშავების მოწყობილობა.

4. კვანტური თვისებები: 4H-SiC და 6H-SiC პოლიტიპებში სილიციუმის ვაკანსიის (VSi) და დივაკანსიის (VSiVC) ფერის ცენტრები ოთახის ტემპერატურაზე ხანგრძლივი კოჰერენტული დროით ავლენენ ოპტიკურად მიმართვად სპინურ მდგომარეობებს. ეს კვანტური გამოსხივებები ინტეგრირდება მასშტაბირებად კვანტურ ქსელებში და განსაკუთრებით პერსპექტიულია ფოტონურ კვანტურ გამოთვლით არქიტექტურებში ოთახის ტემპერატურის კვანტური სენსორების და კვანტური მეხსიერების მოწყობილობების შესაქმნელად.

5. CMOS თავსებადობა: SiC-ის თავსებადობა ნახევარგამტარული წარმოების სტანდარტულ პროცესებთან საშუალებას იძლევა პირდაპირი მონოლითური ინტეგრაციისა სილიკონის ფოტონიკურ პლატფორმებთან. ეს საშუალებას იძლევა შეიქმნას ჰიბრიდული ფოტონურ-ელექტრონული სისტემები, რომლებიც აერთიანებენ SiC-ის ოპტიკურ უპირატესობებს სილიკონის ელექტრონულ ფუნქციონალობასთან, რაც ხსნის ახალ შესაძლებლობებს ჩიპზე დაფუძნებული სისტემების დიზაინისთვის ოპტიკური გამოთვლებისა და სენსორული აპლიკაციების სფეროში.

ძირითადი აპლიკაციები

1. ფოტონური ინტეგრირებული სქემები (PIC): ახალი თაობის PIC-ებში, SiC ოპტიკური ლინზები უზრუნველყოფენ უპრეცედენტო ინტეგრაციის სიმკვრივეს და მუშაობას. ისინი განსაკუთრებით ღირებულია მონაცემთა ცენტრებში ტერაბიტის მასშტაბის ოპტიკური ურთიერთდაკავშირებისთვის, სადაც მაღალი გარდატეხის ინდექსისა და დაბალი დანაკარგების კომბინაცია უზრუნველყოფს მჭიდრო მოხრის რადიუსებს სიგნალის მნიშვნელოვანი დეგრადაციის გარეშე. ბოლოდროინდელმა მიღწევებმა აჩვენა მათი გამოყენება ნეირომორფულ ფოტონურ სქემებში ხელოვნური ინტელექტის აპლიკაციებისთვის, სადაც არაწრფივი ოპტიკური თვისებები საშუალებას იძლევა სრულად ოპტიკური ნეირონული ქსელის დანერგვის.

2. კვანტური ინფორმაცია და გამოთვლები: ფერთა ცენტრის გამოყენების გარდა, SiC ლინზები გამოიყენება კვანტურ საკომუნიკაციო სისტემებში პოლარიზაციის მდგომარეობების შენარჩუნების უნარისა და ერთფოტონიან წყაროებთან თავსებადობის გამო. მასალის მაღალი მეორე რიგის არაწრფივობა გამოიყენება კვანტური სიხშირის გარდაქმნის ინტერფეისებისთვის, რაც აუცილებელია სხვადასხვა ტალღის სიგრძეებზე მომუშავე სხვადასხვა კვანტური სისტემების დასაკავშირებლად.

3. კოსმოსური და თავდაცვა: SiC-ის გამოსხივების სიმტკიცე (1 MGy-ზე მეტი დოზების გაუძლებლობა) მას კოსმოსური ოპტიკური სისტემებისთვის შეუცვლელს ხდის. ბოლოდროინდელი დანერგვები მოიცავს ვარსკვლავური ტრეკერების გამოყენებას თანამგზავრული ნავიგაციისთვის და ოპტიკური საკომუნიკაციო ტერმინალების გამოყენებას თანამგზავრებს შორის კავშირებისთვის. თავდაცვის სფეროში, SiC ლინზები საშუალებას იძლევა შეიქმნას კომპაქტური, მაღალი სიმძლავრის ლაზერული სისტემების ახალი თაობები მიმართული ენერგიის გამოყენებისთვის და მოწინავე LiDAR სისტემები გაუმჯობესებული დიაპაზონის გარჩევადობით.

4. ულტრაიისფერი ოპტიკური სისტემები: SiC-ის მუშაობა ულტრაიისფერ სპექტრში (განსაკუთრებით 300 ნმ-ზე ქვემოთ) და მზის ზემოქმედებისადმი მისი მდგრადობა მას ულტრაიისფერი ლითოგრაფიული სისტემების, ოზონის მონიტორინგის ინსტრუმენტებისა და ასტროფიზიკური დაკვირვების მოწყობილობებისთვის უპირატეს მასალად აქცევს. მასალის მაღალი თბოგამტარობა განსაკუთრებით სასარგებლოა მაღალი სიმძლავრის ულტრაიისფერი აპლიკაციებისთვის, სადაც თერმული ლინზირების ეფექტები ტრადიციულ ოპტიკას დააზიანებს.

5. ინტეგრირებული ფოტონური მოწყობილობები: ტრადიციული ტალღის გამტარი აპლიკაციების მიღმა, SiC ხელს უწყობს ინტეგრირებული ფოტონური მოწყობილობების ახალი კლასების შექმნას, მათ შორის მაგნიტო-ოპტიკურ ეფექტებზე დაფუძნებულ ოპტიკურ იზოლატორებს, სიხშირის სავარცხლის გენერირების ულტრამაღალი Q მიკრორეზონატორებს და 100 გჰც-ზე მეტი სიხშირის გამტარობის მქონე ელექტრო-ოპტიკურ მოდულატორებს. ეს მიღწევები ხელს უწყობს ინოვაციებს ოპტიკური სიგნალის დამუშავებასა და მიკროტალღურ ფოტონიკურ სისტემებში.

XKH-ის სერვისი

XKH-ის პროდუქცია ფართოდ გამოიყენება მაღალტექნოლოგიურ სფეროებში, როგორიცაა სპექტროსკოპიული ანალიზი, ლაზერული სისტემები, მიკროსკოპები და ასტრონომია, რაც ეფექტურად აუმჯობესებს ოპტიკური სისტემების მუშაობას და საიმედოობას. გარდა ამისა, XKH უზრუნველყოფს ყოვლისმომცველ დიზაინის მხარდაჭერას, საინჟინრო მომსახურებას და სწრაფ პროტოტიპირებას, რათა მომხმარებლებმა შეძლონ თავიანთი პროდუქციის სწრაფი დადასტურება და მასობრივი წარმოება.

ჩვენი SiC ოპტიკური პრიზმების არჩევით, თქვენ ისარგებლებთ:

1. უმაღლესი შესრულება: SiC მასალები გამოირჩევა მაღალი სიმტკიცით და თერმული წინააღმდეგობით, რაც უზრუნველყოფს სტაბილურ მუშაობას ექსტრემალურ პირობებშიც კი.
2. ინდივიდუალური მომსახურება: ჩვენ ვუზრუნველყოფთ სრულ პროცესის მხარდაჭერას დიზაინიდან წარმოებამდე, მომხმარებლის მოთხოვნების შესაბამისად.
3. ეფექტური მიწოდება: მოწინავე პროცესებისა და მდიდარი გამოცდილების წყალობით, ჩვენ შეგვიძლია სწრაფად ვუპასუხოთ მომხმარებლის საჭიროებებს და დროულად მივაწოდოთ პროდუქტი.