SiC
-
4H-N HPSI SiC ვაფლი 6H-N 6H-P 3C-N SiC ეპიტაქსიალური ვაფლი MOS ან SBD-სთვის
-
SiC ეპიტაქსიალური ვაფლი ენერგომოწყობილობებისთვის – 4H-SiC, N-ტიპი, დაბალი დეფექტის სიმკვრივით
-
4H-N ტიპის SiC ეპიტაქსიური ვაფლი მაღალი ძაბვის მაღალი სიხშირის
-
3 ინჩიანი მაღალი სისუფთავის (არადოპირებული) სილიციუმის კარბიდის ვაფლები ნახევრად იზოლირებული Sic სუბსტრატები (HPSl)
-
4H-N 8 დიუმიანი SiC სუბსტრატის ვაფლი სილიციუმის კარბიდის მანეკენული კვლევითი კლასის 500 მკმ სისქით
-
4H-N/6H-N SiC ვაფლის კვლევის წარმოება, 150 მმ დიამეტრის სილიციუმის კარბიდის სუბსტრატი
-
Au დაფარული ვაფლი, საფირონის ვაფლი, სილიციუმის ვაფლი, SiC ვაფლი, 2 ინჩი 4 ინჩი 6 ინჩი, ოქროთი დაფარული სისქე 10 ნმ 50 ნმ 100 ნმ
-
SiC ვაფლი 4H-N 6H-N HPSI 4H-ნახევრად 6H-ნახევრად 4H-P 6H-P 3C ტიპის 2ინჩი 3ინჩი 4ინჩი 6ინჩი 8ინჩი
-
2 დიუმიანი Sic სილიციუმის კარბიდის სუბსტრატი 6H-N ტიპი 0.33 მმ 0.43 მმ ორმხრივი გაპრიალება მაღალი თბოგამტარობა დაბალი ენერგომოხმარება
-
SiC სუბსტრატი 3 ინჩი 350 მკმ სისქის HPSI ტიპი პრაიმ კლასის დუომი კლასი
-
სილიკონის კარბიდის SiC ზოდი 6 ინჩი N ტიპის იმიტაციის/პრიმა კლასის სისქის, შეიძლება მორგებული იყოს
-
6 ინჩიანი სილიციუმის კარბიდის 4H-SiC ნახევრად საიზოლაციო ზოდი, ფიქტიური კლასის