SiC
-
4H-N 8 დიუმიანი SiC სუბსტრატის ვაფლი სილიციუმის კარბიდის მანეკენული კვლევითი კლასის 500 მკმ სისქით
-
4H-N/6H-N SiC ვაფლის კვლევის წარმოება, 150 მმ დიამეტრის სილიციუმის კარბიდის სუბსტრატი
-
Au დაფარული ვაფლი, საფირონის ვაფლი, სილიციუმის ვაფლი, SiC ვაფლი, 2 ინჩი 4 ინჩი 6 ინჩი, ოქროთი დაფარული სისქე 10 ნმ 50 ნმ 100 ნმ
-
SiC ვაფლი 4H-N 6H-N HPSI 4H-ნახევრად 6H-ნახევრად 4H-P 6H-P 3C ტიპის 2ინჩი 3ინჩი 4ინჩი 6ინჩი 8ინჩი
-
2 დიუმიანი Sic სილიციუმის კარბიდის სუბსტრატი 6H-N ტიპი 0.33 მმ 0.43 მმ ორმხრივი გაპრიალება მაღალი თბოგამტარობა დაბალი ენერგომოხმარება
-
SiC სუბსტრატი 3 ინჩი 350 მკმ სისქის HPSI ტიპი პრაიმ კლასის დუომი კლასი
-
სილიკონის კარბიდის SiC ზოდი 6 ინჩი N ტიპის იმიტაციის/პრიმა კლასის სისქის, შეიძლება მორგებული იყოს
-
6 ინჩიანი სილიციუმის კარბიდის 4H-SiC ნახევრად საიზოლაციო ზოდი, ფიქტიური კლასის
-
SiC ზოდი 4H ტიპის დიამეტრი 4 ინჩი 6 ინჩი სისქე 5-10 მმ კვლევითი / ფიქტიური კლასი
-
Sic სუბსტრატი სილიციუმის კარბიდის ვაფლი 4H-N ტიპის მაღალი სიმტკიცე კოროზიისადმი მდგრადი პრაიმ კლასის გაპრიალება
-
2 დიუმიანი სილიციუმის კარბიდის ვაფლი 6H-N ტიპის პრაიმ კლასის კვლევითი კლასის იმიტაციური კლასი 330μm 430μm სისქე
-
2 ინჩიანი სილიციუმის კარბიდის სუბსტრატი 6H-N ორმხრივი გაპრიალებული დიამეტრით 50.8 მმ საწარმოო კლასის კვლევითი კლასი