SiC
-
3 ინჩიანი SiC სუბსტრატის წარმოება დიამეტრი 76.2 მმ 4H-N
-
SiC სუბსტრატი P და D კლასის დიამეტრი 50 მმ 4H-N 2 ინჩი
-
SiC ზოდი 4H-N ტიპის, ცრუ კლასის 2 ინჩი 3 ინჩი 4 ინჩი 6 ინჩი, სისქე: > 10 მმ
-
200 მმ SiC სუბსტრატის მანეკენი 4H-N 8 ინჩიანი SiC ვაფლი
-
4H-N Dia205mm SiC თესლი ჩინეთიდან P და D კლასის მონოკრისტალური
-
6 დიუმიანი SiC Epitaxiy ვაფლი N/P ტიპისთვის, რომელიც იღებს მორგებულს
-
Dia150 მმ 4H-N 6 ინჩიანი SiC სუბსტრატის წარმოება და ფიქტიური კლასი
-
4 დიუმიანი SiC Epi ვაფლი MOS ან SBD-სთვის
-
2 დიუმიანი SiC ზოდი, დიამეტრი 50.8 მმ x 10 მმ, 4H-N მონოკრისტალური
-
4 დიუმიანი SiC ვაფლები 6H ნახევრად იზოლირებული SiC სუბსტრატები, პრაიმერის, კვლევითი და ფიქტიური კლასის
-
6 დიუმიანი HPSI SiC სუბსტრატის ვაფლი სილიციუმის კარბიდის ნახევრად შეურაცხმყოფელი SiC ვაფლები
-
4 დიუმიანი ნახევრად შეურაცხმყოფელი SiC ვაფლები HPSI SiC სუბსტრატი Prime Production კლასისგან