2 დიუმიანი სილიციუმის კარბიდის ვაფლები 6H ან 4H N ტიპის ან ნახევრად იზოლირებული SiC სუბსტრატები

2 დიუმიანი სილიკონის კარბიდის ვაფლები 6H ან 4H N ტიპის ან ნახევრად იზოლირებული SiC სუბსტრატები. მთავარი სურათი

მოკლე აღწერა:

სილიციუმის კარბიდი (SiC), ასევე ცნობილი როგორც კარბორუნდი, არის ნახევარგამტარი, რომელიც შეიცავს სილიციუმს და ნახშირბადს ქიმიური ფორმულით SiC. SiC გამოიყენება ნახევარგამტარულ ელექტრონულ მოწყობილობებში, რომლებიც მუშაობენ მაღალ ტემპერატურაზე ან მაღალ ძაბვაზე, ან ორივეზე. SiC ასევე არის ერთ-ერთი მნიშვნელოვანი LED კომპონენტი, ის პოპულარული სუბსტრატია GaN მოწყობილობების გასაზრდელად და ასევე ემსახურება სითბოს გამავრცელებელს მაღალი სიმძლავრის LED-ებში.

გამოგვიგზავნეთ ელ.წერილი

პროდუქტის დეტალები

პროდუქტის ტეგები

რეკომენდებული პროდუქტები

4H SiC ვაფლი N-ტიპის

დიამეტრი: 2 ინჩი 50.8 მმ | 4 ინჩი 100 მმ | 6 ინჩი 150 მმ

ორიენტაცია: ღერძიდან 4.0˚ <1120> ± 0.5˚ მიმართულებით

წინაღობა: < 0.1 ohm.cm

უხეშობა: Si-სახის CMP Ra <0.5 ნმ, C-სახის ოპტიკური გაპრიალების Ra <1 ნმ

4H SiC ვაფლი ნახევრად იზოლირებული

დიამეტრი: 2 ინჩი 50.8 მმ | 4 ინჩი 100 მმ | 6 ინჩი 150 მმ

ორიენტაცია: ღერძზე {0001} ± 0.25˚

წინაღობა: >1E5 ohm.cm

უხეშობა: Si-სახის CMP Ra <0.5 ნმ, C-სახის ოპტიკური გაპრიალების Ra <1 ნმ

1. 5G ინფრასტრუქტურა -- საკომუნიკაციო ენერგომომარაგება

საკომუნიკაციო დენის წყარო წარმოადგენს სერვერისა და საბაზო სადგურის კომუნიკაციის ენერგეტიკულ ბაზას. ის უზრუნველყოფს ელექტროენერგიას სხვადასხვა გადამცემი აღჭურვილობისთვის, რათა უზრუნველყოს საკომუნიკაციო სისტემის ნორმალური ფუნქციონირება.

2. ახალი ენერგომომარაგების მქონე სატრანსპორტო საშუალებების დამტენი გროვა -- დამტენი გროვის სიმძლავრის მოდული

დამუხტვის პილის კვების მოდულის მაღალი ეფექტურობისა და მაღალი სიმძლავრის მიღწევა შესაძლებელია დამუხტვის პილის კვების მოდულში სილიციუმის კარბიდის გამოყენებით, რაც აუმჯობესებს დატენვის სიჩქარეს და ამცირებს დატენვის ხარჯებს.

3. დიდი მონაცემთა ცენტრი, სამრეწველო ინტერნეტი -- სერვერის კვების წყარო

სერვერის კვების წყარო არის სერვერის ენერგიის ბიბლიოთეკა. სერვერი უზრუნველყოფს ენერგიას სერვერული სისტემის ნორმალური მუშაობის უზრუნველსაყოფად. სილიციუმის კარბიდის კვების კომპონენტების გამოყენებას სერვერის კვების წყაროში შეუძლია გააუმჯობესოს სერვერის კვების წყაროს სიმძლავრის სიმკვრივე და ეფექტურობა, შეამციროს მონაცემთა ცენტრის მოცულობა მთლიანობაში, შეამციროს მონაცემთა ცენტრის მშენებლობის საერთო ღირებულება და მიაღწიოს უფრო მაღალ გარემოსდაცვით ეფექტურობას.

4. UHV - მოქნილი გადაცემის DC ამომრთველების გამოყენება

5. საქალაქთაშორისო ჩქაროსნული რკინიგზა და საქალაქთაშორისო რკინიგზის ტრანზიტი -- წევის გადამყვანები, დენის ელექტრონული ტრანსფორმატორები, დამხმარე გადამყვანები, დამხმარე კვების წყაროები