2 ინჩი 50.8მმ საფირონის ვაფლი C-Plane M-plane R-plane A-plane სისქე 350um 430um 500um

Მოკლე აღწერა:

საფირონი არის ფიზიკური, ქიმიური და ოპტიკური თვისებების უნიკალური კომბინაციის მასალა, რაც მას გამძლეს ხდის მაღალი ტემპერატურის, თერმული შოკის, წყლისა და ქვიშის ეროზიისა და ნაკაწრის მიმართ.


პროდუქტის დეტალი

პროდუქტის ტეგები

სხვადასხვა ორიენტაციის დაზუსტება

ორიენტაცია

C(0001)-ღერძი

R(1-102)-ღერძი

M(10-10) -ღერძი

ა(11-20)-ღერძი

ფიზიკური ქონება

C ღერძს აქვს კრისტალური სინათლე, ხოლო სხვა ღერძებს აქვს უარყოფითი სინათლე.თვითმფრინავი C არის ბრტყელი, სასურველია დაჭრილი.

R- თვითმფრინავი ოდნავ უფრო რთული ვიდრე A.

M თვითმფრინავი არის საფეხურიანი დაკბილული, არ არის ადვილი მოსაჭრელი, ადვილი მოსაჭრელია. A-plane-ის სიხისტე საგრძნობლად აღემატება C-ს სიხისტეს, რაც გამოიხატება აცვიათ წინააღმდეგობაში, ნაკაწრის წინააღმდეგობასა და მაღალ სიმტკიცეში;Side A-plane არის ზიგზაგისებური თვითმფრინავი, რომელიც ადვილად იჭრება;
აპლიკაციები

C-ზე ორიენტირებული საფირონის სუბსტრატები გამოიყენება III-V და II-VI დეპონირებული ფირების გასაშენებლად, როგორიცაა გალიუმის ნიტრიდი, რომელსაც შეუძლია ლურჯი LED პროდუქტების, ლაზერული დიოდების და ინფრაწითელი დეტექტორის აპლიკაციების წარმოება.
ეს ძირითადად იმის გამო ხდება, რომ C- ღერძის გასწვრივ საფირონის კრისტალების ზრდის პროცესი მომწიფებულია, ღირებულება შედარებით დაბალია, ფიზიკური და ქიმიური თვისებები სტაბილურია და C- სიბრტყეზე ეპიტაქსიის ტექნოლოგია მწიფე და სტაბილურია.

R-ორიენტირებული სუბსტრატის ზრდა სხვადასხვა დეპონირებული სილიციუმის ექსტრასისტალებისთვის, რომლებიც გამოიყენება მიკროელექტრონულ ინტეგრირებულ სქემებში.
გარდა ამისა, მაღალი სიჩქარის ინტეგრირებული სქემები და წნევის სენსორები ასევე შეიძლება ჩამოყალიბდეს ეპიტაქსიალური სილიციუმის ზრდის ფილმის წარმოების პროცესში.R ტიპის სუბსტრატის გამოყენება ასევე შესაძლებელია ტყვიის, სხვა სუპერგამტარი კომპონენტების, მაღალი წინააღმდეგობის რეზისტორების, გალიუმის არსენიდის წარმოებაში.

იგი ძირითადად გამოიყენება არაპოლარული/ნახევრადპოლარული GaN ეპიტაქსიალური ფილმების გასაშენებლად მანათობელი ეფექტურობის გასაუმჯობესებლად. A-ზე ორიენტირებული სუბსტრატზე აწარმოებს ერთგვაროვან გამტარიანობას/საშუალებას და მაღალი ხარისხის იზოლაცია გამოიყენება ჰიბრიდულ მიკროელექტრონულ ტექნოლოგიაში.მაღალი ტემპერატურის ზეგამტარები შეიძლება წარმოიქმნას A-ფუძის წაგრძელებული კრისტალებისგან.
დამუშავების სიმძლავრე შაბლონის საფირონის სუბსტრატი (PSS): ზრდის ან აკრავის სახით, ნანომასშტაბიანი სპეციფიკური რეგულარული მიკროსტრუქტურის ნიმუშები შექმნილია და დამზადებულია საფირონის სუბსტრატზე, რათა გააკონტროლოს LED-ის სინათლის გამომავალი ფორმა და შეამციროს დიფერენციალური დეფექტები GaN-ს შორის, რომელიც იზრდება საფირონის სუბსტრატზე. აუმჯობესებს ეპიტაქსიის ხარისხს და აძლიერებს LED-ის შიდა კვანტურ ეფექტურობას და ზრდის სინათლის მოპოვების ეფექტურობას.
გარდა ამისა, საფირონის პრიზმა, სარკე, ლინზა, ხვრელი, კონუსი და სხვა სტრუქტურული ნაწილები შეიძლება მორგებული იყოს მომხმარებლის მოთხოვნების შესაბამისად.

ქონებრივი დეკლარაცია

სიმჭიდროვე სიხისტე დნობის წერტილი რეფრაქციული ინდექსი (ხილული და ინფრაწითელი) ტრანსმისია (DSP) დიელექტრიკული მუდმივი
3.98გ/სმ3 9 (მოჰ) 2053℃ 1.762~1.770 ≥85% 11.58@300K C ღერძზე (9.4 A ღერძზე)

დეტალური დიაგრამა

avcasvb (1)
avcasvb (2)
avcasvb (3)

  • წინა:
  • შემდეგი:

  • დაწერეთ თქვენი მესიჯი აქ და გამოგვიგზავნეთ