4 დიუმიანი ნახევრად შეურაცხმყოფელი SiC ვაფლი HPSI SiC სუბსტრატი Prime Production კლასის

Მოკლე აღწერა:

4 დიუმიანი მაღალი სისუფთავის ნახევრად იზოლირებული სილიციუმის კარბიდის ორმხრივი გასაპრიალებელი ფირფიტა ძირითადად გამოიყენება 5G კომუნიკაციაში და სხვა სფეროებში, რადიოსიხშირული დიაპაზონის გაუმჯობესების უპირატესობებით, ულტრა შორ მანძილზე ამოცნობით, ჩარევის საწინააღმდეგოდ, მაღალი სიჩქარით. , დიდი სიმძლავრის ინფორმაციის გადაცემა და სხვა აპლიკაციები და ითვლება იდეალურ სუბსტრატად მიკროტალღური ენერგიის მოწყობილობების დასამზადებლად.

გამოგვიგზავნეთ ელ.წერილი

პროდუქტის დეტალი

პროდუქტის ტეგები

პროდუქტის სპეციფიკაცია

სილიციუმის კარბიდი (SiC) არის რთული ნახევარგამტარული მასალა, რომელიც შედგება ნახშირბადისა და სილიციუმის ელემენტებისაგან და არის ერთ-ერთი იდეალური მასალა მაღალი ტემპერატურის, მაღალი სიხშირის, მაღალი სიმძლავრის და მაღალი ძაბვის მოწყობილობების დასამზადებლად.ტრადიციულ სილიკონის მასალასთან (Si) შედარებით, სილიციუმის კარბიდის აკრძალული ზოლის სიგანე სამჯერ აღემატება სილიციუმს;თბოგამტარობა 4-5-ჯერ აღემატება სილიკონს;დაშლის ძაბვა 8-10-ჯერ აღემატება სილიციუმს;და ელექტრონის გაჯერების დრიფტის სიჩქარე 2-3-ჯერ აღემატება სილიკონს, რომელიც აკმაყოფილებს თანამედროვე ინდუსტრიის მოთხოვნილებებს მაღალი სიმძლავრის, მაღალი ძაბვისა და მაღალი სიხშირისთვის და ძირითადად გამოიყენება მაღალი სიჩქარის, მაღალი სიჩქარის შესაქმნელად. სიხშირე, მაღალი სიმძლავრის და სინათლის გამოსხივების ელექტრონული კომპონენტები და მისი ქვედა დინების გამოყენების სფეროები მოიცავს ჭკვიან ქსელს, ახალი ენერგიის სატრანსპორტო საშუალებებს, ფოტოვოლტაურ ქარის ენერგიას, 5G კომუნიკაციებს და ა.შ. ენერგეტიკული მოწყობილობების სფეროში დაიწყო სილიციუმის კარბიდის დიოდები და MOSFET კომერციულად გამოიყენება.

SiC ვაფლის/SiC სუბსტრატის უპირატესობები

მაღალი ტემპერატურის წინააღმდეგობა.სილიციუმის კარბიდის აკრძალული ზოლის სიგანე 2-3-ჯერ აღემატება სილიციუმს, ამიტომ ელექტრონები ნაკლებად ხტუნდებიან მაღალ ტემპერატურაზე და გაუძლებენ მაღალ სამუშაო ტემპერატურას, ხოლო სილიციუმის კარბიდის თერმული კონდუქტომეტრი 4-5-ჯერ აღემატება სილიციუმს. უფრო ადვილია სითბოს გაფრქვევა მოწყობილობიდან და საშუალებას იძლევა უფრო მაღალი შეზღუდვის სამუშაო ტემპერატურა.მაღალტემპერატურულ მახასიათებლებს შეუძლიათ მნიშვნელოვნად გაზარდონ დენის სიმკვრივე, ამავდროულად შეამცირონ მოთხოვნები სითბოს გაფრქვევის სისტემის მიმართ, რაც ტერმინალს უფრო მსუბუქს და მინიატურულს გახდის.

მაღალი ძაბვის წინააღმდეგობა.სილიციუმის კარბიდის დაშლის ველის სიძლიერე 10-ჯერ აღემატება სილიკონს, რაც მას საშუალებას აძლევს გაუძლოს უფრო მაღალ ძაბვას, რაც უფრო შესაფერისია მაღალი ძაბვის მოწყობილობებისთვის.

მაღალი სიხშირის წინააღმდეგობა.სილიციუმის კარბიდს აქვს ორჯერ მეტი სილიკონის ელექტრონის დრეიფის გაჯერების სიჩქარე, რის შედეგადაც მისი მოწყობილობები გამორთვის პროცესში არ არსებობს მიმდინარე გადაადგილების ფენომენში, შეუძლია ეფექტურად გააუმჯობესოს მოწყობილობის გადართვის სიხშირე, რათა მიაღწიოს მოწყობილობის მინიატურიზაციას.

დაბალი ენერგიის დაკარგვა.სილიციუმის კარბიდს აქვს ძალიან დაბალი წინააღმდეგობა სილიკონის მასალებთან შედარებით, დაბალი გამტარობის დაკარგვა;ამავდროულად, სილიციუმის კარბიდის მაღალი გამტარუნარიანობა მნიშვნელოვნად ამცირებს გაჟონვის დენს, ენერგიის დაკარგვას;გარდა ამისა, სილიციუმის კარბიდის მოწყობილობები გამორთვის პროცესში არ არსებობს მიმდინარე წევის ფენომენში, დაბალი გადართვის დანაკარგი.