8 ინჩიანი 200 მმ 4H-N SiC ვაფლის გამტარი მანეკენი, კვლევითი კლასის
უნიკალური ფიზიკური და ელექტრონული თვისებების გამო, 200 მმ SiC ვაფლის ნახევარგამტარი მასალა გამოიყენება მაღალი ხარისხის, მაღალი ტემპერატურის, რადიაციისადმი მდგრადი და მაღალი სიხშირის ელექტრონული მოწყობილობების შესაქმნელად. 8 დიუმიანი SiC სუბსტრატის ფასი თანდათან მცირდება, რადგან ტექნოლოგია უფრო და უფრო ვითარდება და მოთხოვნა იზრდება. ბოლოდროინდელი ტექნოლოგიური განვითარება იწვევს 200 მმ SiC ვაფლების მასშტაბურ წარმოებას. SiC ვაფლის ნახევარგამტარი მასალების ძირითადი უპირატესობები Si და GaAs ვაფლებთან შედარებით: 4H-SiC-ის ელექტრული ველის სიძლიერე ზვავის დაშლის დროს ერთზე მეტი სიდიდით აღემატება Si და GaAs-ის შესაბამის მნიშვნელობებს. ეს იწვევს ჩართული მდგომარეობის წინაღობის მნიშვნელოვან შემცირებას Ron. დაბალი ჩართული მდგომარეობის წინაღობა, მაღალ დენის სიმკვრივესთან და თბოგამტარობასთან ერთად, საშუალებას იძლევა გამოყენებულ იქნას ძალიან პატარა შტამპი ენერგომოწყობილობებისთვის. SiC-ის მაღალი თბოგამტარობა ამცირებს ჩიპის თერმულ წინაღობას. SiC ვაფლებზე დაფუძნებული მოწყობილობების ელექტრონული თვისებები ძალიან სტაბილურია დროთა განმავლობაში და სტაბილურია ტემპერატურაზე, რაც უზრუნველყოფს პროდუქციის მაღალ საიმედოობას. სილიციუმის კარბიდი უკიდურესად მდგრადია მყარი გამოსხივების მიმართ, რაც არ აუარესებს ჩიპის ელექტრონულ თვისებებს. კრისტალის მაღალი ზღვრული სამუშაო ტემპერატურა (6000C-ზე მეტი) საშუალებას გაძლევთ შექმნათ მაღალ საიმედო მოწყობილობები მკაცრი სამუშაო პირობებისა და სპეციალური გამოყენებისთვის. ამჟამად, ჩვენ შეგვიძლია სტაბილურად და უწყვეტად მივაწოდოთ მცირე პარტიები 200 მმ SiC ვაფლებს და გვაქვს გარკვეული მარაგი საწყობში.
სპეციფიკაცია
| ნომერი | ნივთი | ერთეული | წარმოება | კვლევა | მანეკენი |
| 1. პარამეტრები | |||||
| 1.1 | პოლიტიპი | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | ზედაპირის ორიენტაცია | ° | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 |
| 2. ელექტრო პარამეტრი | |||||
| 2.1 | დოპანტი | -- | n-ტიპის აზოტი | n-ტიპის აზოტი | n-ტიპის აზოტი |
| 2.2 | წინაღობა | ოჰ · სმ | 0.015~0.025 | 0.01~0.03 | NA |
| 3. მექანიკური პარამეტრი | |||||
| 3.1 | დიამეტრი | mm | 200±0.2 | 200±0.2 | 200±0.2 |
| 3.2 | სისქე | მკმ | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | ჭრილის ორიენტაცია | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | ჭრილის სიღრმე | mm | 1~1.5 | 1~1.5 | 1~1.5 |
| 3.5 | LTV | მკმ | ≤5 (10 მმ * 10 მმ) | ≤5 (10 მმ * 10 მმ) | ≤10 (10 მმ*10 მმ) |
| 3.6 | TTV | მკმ | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | მშვილდი | მკმ | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | დეფორმაცია | მკმ | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | საჰაერო ფრენა | nm | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 |
| 4. სტრუქტურა | |||||
| 4.1 | მიკრომილების სიმკვრივე | ea/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | ლითონის შემცველობა | ატომები/სმ2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | ტრანზიტის სტრატეგიის ინდექსი | ea/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | ინდექსის ცვლილება | ea/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | ტედი | ea/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. დადებითი ხარისხი | |||||
| 5.1 | წინა მხარე | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | ზედაპირის დასრულება | -- | Si-face CMP | Si-face CMP | Si-face CMP |
| 5.3 | ნაწილაკი | ვაფლი | ≤100 (ზომა ≥0.3 მკმ) | NA | NA |
| 5.4 | ნაკაწრი | ვაფლი | ≤5, საერთო სიგრძე ≤200 მმ | NA | NA |
| 5.5 | კიდე ნაკაწრები/ჩაღრმავებები/ბზარები/ლაქები/დაბინძურება | -- | არცერთი | არცერთი | NA |
| 5.6 | პოლიტიპური არეალი | -- | არცერთი | ფართობი ≤10% | ფართობი ≤30% |
| 5.7 | წინა მარკირება | -- | არცერთი | არცერთი | არცერთი |
| 6. უკანა მხარის ხარისხი | |||||
| 6.1 | უკანა დასრულება | -- | C-face MP | C-face MP | C-face MP |
| 6.2 | ნაკაწრი | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | უკანა დეფექტები კიდურზე ჩიპები/ჩაღრმავებები | -- | არცერთი | არცერთი | NA |
| 6.4 | ზურგის უხეშობა | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | უკანა მარკირება | -- | ნაჭდევი | ნაჭდევი | ნაჭდევი |
| 7. კიდე | |||||
| 7.1 | კიდე | -- | ხრახნიანი | ხრახნიანი | ხრახნიანი |
| 8. პაკეტი | |||||
| 8.1 | შეფუთვა | -- | ეპი-მზადაა ვაკუუმით შეფუთვა | ეპი-მზადაა ვაკუუმით შეფუთვა | ეპი-მზადაა ვაკუუმით შეფუთვა |
| 8.2 | შეფუთვა | -- | მრავალვაფლიანი კასეტის შეფუთვა | მრავალვაფლიანი კასეტის შეფუთვა | მრავალვაფლიანი კასეტის შეფუთვა |
დეტალური დიაგრამა
