8 ინჩიანი 200 მმ 4H-N SiC ვაფლი გამტარი მოჩვენებითი კვლევის ხარისხი

8 ინჩიანი 200 მმ 4H-N SiC ვაფლი გამტარი მოჩვენებითი კვლევის კლასის გამორჩეული სურათი

მოკლე აღწერა:

ტრანსპორტის, ენერგეტიკისა და სამრეწველო ბაზრების განვითარებასთან ერთად, მოთხოვნა საიმედო, მაღალი ხარისხის სიმძლავრის ელექტრონიკაზე კვლავ იზრდება. ნახევარგამტარული მუშაობის გაუმჯობესებული საჭიროებების დასაკმაყოფილებლად, მოწყობილობების მწარმოებლები ეძებენ ფართო ზოლიანი ნახევარგამტარულ მასალებს, როგორიცაა ჩვენი 4H SiC Prime Grade პორტფოლიო 4H n ტიპის სილიციუმის კარბიდის (SiC) ვაფლებისგან.

გამოგვიგზავნეთ ელ.წერილი

პროდუქტის დეტალი

პროდუქტის ტეგები

უნიკალური ფიზიკური და ელექტრონული თვისებების გამო, 200 მმ SiC ვაფლის ნახევარგამტარული მასალა გამოიყენება მაღალი ხარისხის, მაღალი ტემპერატურის, რადიაციისადმი მდგრადი და მაღალი სიხშირის ელექტრონული მოწყობილობების შესაქმნელად. 8 დიუმიანი SiC სუბსტრატის ფასი თანდათან მცირდება, რადგან ტექნოლოგია უფრო მოწინავე ხდება და მოთხოვნა იზრდება. ბოლოდროინდელი ტექნოლოგიური განვითარება იწვევს 200 მმ SiC ვაფლის წარმოებას. SiC ვაფლის ნახევარგამტარული მასალების ძირითადი უპირატესობები Si და GaAs ვაფლებთან შედარებით: 4H-SiC-ის ელექტრული ველის სიძლიერე ზვავის დაშლის დროს სიდიდეზე მეტია, ვიდრე Si და GaAs-ის შესაბამისი მნიშვნელობები. ეს იწვევს რონ-მდგომარეობის წინააღმდეგობის მნიშვნელოვან შემცირებას. დაბალი რეზისტენტობა, მაღალი დენის სიმკვრივესა და თერმული კონდუქტომეტრთან ერთად, საშუალებას იძლევა გამოიყენოს ძალიან მცირე ზომის ძაფები ელექტრო მოწყობილობებისთვის. SiC-ის მაღალი თბოგამტარობა ამცირებს ჩიპის თერმული წინააღმდეგობას. SiC ვაფლებზე დაფუძნებული მოწყობილობების ელექტრონული თვისებები ძალიან სტაბილურია დროთა განმავლობაში და სტაბილური ტემპერატურის პირობებში, რაც უზრუნველყოფს პროდუქციის მაღალ საიმედოობას. სილიციუმის კარბიდი უკიდურესად მდგრადია მყარი გამოსხივების მიმართ, რაც არ არღვევს ჩიპის ელექტრონულ თვისებებს. ბროლის მაღალი შეზღუდვის ოპერაციული ტემპერატურა (6000C-ზე მეტი) საშუალებას გაძლევთ შექმნათ უაღრესად საიმედო მოწყობილობები მკაცრი სამუშაო პირობებისა და სპეციალური აპლიკაციებისთვის. ამჟამად, ჩვენ შეგვიძლია მივაწოდოთ მცირე პარტია 200mmSiC ვაფლები სტაბილურად და განუწყვეტლივ და გვაქვს გარკვეული მარაგი საწყობში.

სპეციფიკაცია

ნომერი	ელემენტი	ერთეული	წარმოება	კვლევა	მატყუარა
1. პარამეტრები
1.1	პოლიტიპი	--	4H	4H	4H
1.2	ზედაპირის ორიენტაცია	°	<11-20>4±0.5	<11-20>4±0.5	<11-20>4±0.5
2. ელექტრო პარამეტრი
2.1	დოპანტური	--	n ტიპის აზოტი	n ტიპის აზოტი	n ტიპის აზოტი
2.2	წინააღმდეგობა	ohm · სმ	0,015~0,025	0,01~0,03	NA
3. მექანიკური პარამეტრი
3.1	დიამეტრი	mm	200±0.2	200±0.2	200±0.2
3.2	სისქე	მმ	500±25	500±25	500±25
3.3	ნაჭრის ორიენტაცია	°	[1- 100]±5	[1- 100]±5	[1- 100]±5
3.4	ჩაჭრის სიღრმე	mm	1~1,5	1~1,5	1~1,5
3.5	LTV	მმ	≤5 (10 მმ*10 მმ)	≤5 (10 მმ*10 მმ)	≤10 (10 მმ*10 მმ)
3.6	TTV	მმ	≤10	≤10	≤15
3.7	მშვილდი	მმ	-25~25	-45~45	-65~65
3.8	გადახვევა	მმ	≤30	≤50	≤70
3.9	AFM	nm	Ra≤0.2	Ra≤0.2	Ra≤0.2
4. სტრუქტურა
4.1	მიკრომილის სიმკვრივე	ea/cm2	≤2	≤10	≤50
4.2	ლითონის შემცველობა	ატომები/სმ2	≤1E11	≤1E11	NA
4.3	TSD	ea/cm2	≤500	≤1000	NA
4.4	BPD	ea/cm2	≤2000	≤5000	NA
4.5	TED	ea/cm2	≤7000	≤10000	NA
5. დადებითი ხარისხი
5.1	წინა	--	Si	Si	Si
5.2	ზედაპირის დასრულება	--	Si-face CMP	Si-face CMP	Si-face CMP
5.3	ნაწილაკი	ეა/ვაფლი	≤100 (ზომა≥0.3μm)	NA	NA
5.4	ნაკაწრი	ეა/ვაფლი	≤5, საერთო სიგრძე≤200 მმ	NA	NA
5.5	ზღვარი ჩიპები / ჩაღრმავები / ბზარები / ლაქები / დაბინძურება	--	არცერთი	არცერთი	NA
5.6	პოლიტიპური უბნები	--	არცერთი	ფართობი ≤10%	ფართობი ≤30%
5.7	წინა მარკირება	--	არცერთი	არცერთი	არცერთი
6. ზურგის ხარისხი
6.1	უკან დასრულება	--	C-სახის დეპუტატი	C-სახის დეპუტატი	C-სახის დეპუტატი
6.2	ნაკაწრი	mm	NA	NA	NA
6.3	უკანა დეფექტები კიდეზე ჩიპები / ჩაღრმავები	--	არცერთი	არცერთი	NA
6.4	ზურგის უხეშობა	nm	Ra≤5	Ra≤5	Ra≤5
6.5	უკანა მარკირება	--	ჭრილი	ჭრილი	ჭრილი
7. ზღვარი
7.1	ზღვარი	--	ჩამფერი	ჩამფერი	ჩამფერი
8. პაკეტი
8.1	შეფუთვა	--	ეპი-მზადაა ვაკუუმით შეფუთვა	ეპი-მზადაა ვაკუუმით შეფუთვა	ეპი-მზადაა ვაკუუმით შეფუთვა
8.2	შეფუთვა	--	მრავალ ვაფლი კასეტის შეფუთვა	მრავალ ვაფლი კასეტის შეფუთვა	მრავალ ვაფლი კასეტის შეფუთვა