8 დიუმიანი 200მმ სილიკონის კარბიდი SiC ვაფლები 4H-N ტიპის წარმოების ხარისხი 500მმ სისქე

ზომა: 8 ინჩი;

დიამეტრი: 200მმ±0,2;

სისქე: 500მ±25;

ზედაპირის ორიენტაცია: 4 [11-20]±0.5°-ისკენ;

ჭრილის ორიენტაცია:[1-100]±1°;

ჩაჭრის სიღრმე: 1±0,25 მმ;

მიკრომილაკი: <1სმ2;

Hex ფირფიტები: არ არის ნებადართული;

წინაღობა: 0,015~0,028Ω;

EPD:<8000სმ2;

TED:<6000სმ2

BPD:<2000cm2

TSD: <1000 სმ2

SF: ფართობი<1%

TTV≤15um;

Warp≤40um;

მშვილდი≤25um;

პოლიზონები: ≤5%;

ნაკაწრი: <5 და კუმულაციური სიგრძე< 1 ვაფლის დიამეტრი;

ჩიპები/შეწევა: არცერთი არ იძლევა D>0.5მმ სიგანეს და სიღრმეს;

ბზარები: არცერთი;

ლაქა: არცერთი

ვაფლის კიდე: Chamfer;

ზედაპირის დასრულება: Double Side Polish, Si Face CMP;

შეფუთვა: მრავალ ვაფლის კასეტა ან ერთი ვაფლის კონტეინერი;

მიმდინარე სირთულეები 200 მმ 4H-SiC კრისტალების მომზადებისას მთავარი

1) მაღალი ხარისხის 200 მმ 4H-SiC სათესლე კრისტალების მომზადება;

2) დიდი ზომის ტემპერატურული ველის არაერთგვაროვნებისა და ნუკლეაციის პროცესის კონტროლი;

3) სატრანსპორტო ეფექტურობა და აირისებრი კომპონენტების ევოლუცია დიდი ზომის კრისტალების ზრდის სისტემებში;

4) დიდი ზომის თერმული სტრესით გამოწვეული კრისტალების დაბზარვა და დეფექტების გამრავლება.

ამ გამოწვევების დასაძლევად და მაღალი ხარისხის 200 მმ SiC ვაფლის გადაწყვეტილებების მისაღებად შემოთავაზებულია:

200 მმ თესლის კრისტალების მომზადების თვალსაზრისით, შესწავლილი იქნა შესაბამისი ტემპერატურული ველის ნაკადის ველი და გაფართოების წყობა, რათა გაითვალისწინოს ბროლის ხარისხი და გაფართოების ზომა;დაწყებული 150 მმ SiC se:d კრისტალით, განახორციელეთ თესლის კრისტალების გამეორება, რათა თანდათან გააფართოვოთ SiC კრისტაზირება, სანამ არ მიაღწევს 200 მმ-ს;მრავალრიცხოვანი კრისტალების ზრდისა და დამუშავების გზით, თანდათანობით ოპტიმიზაცია მოახდინე კრისტალების ხარისხის კრისტალების გაფართოების ზონაში და გააუმჯობესე 200 მმ თესლის კრისტალების ხარისხი.

200 მმ გამტარი კრისტალების და სუბსტრატის მომზადების თვალსაზრისით, კვლევამ ოპტიმიზირებულია ტემპერატურული დგომისა და ნაკადის ველის დიზაინი დიდი ზომის კრისტალური ზრდისთვის, ჩაატაროს 200 მმ გამტარი SiC კრისტალების ზრდა და დოპინგის ერთგვაროვნების კონტროლი.ბროლის უხეში დამუშავებისა და ფორმირების შემდეგ მიიღეს სტანდარტული დიამეტრის 8 დიუმიანი ელექტროგამტარი 4H-SiC ჯოხი.დაჭრის, დაფქვის, გაპრიალების, დამუშავების შემდეგ SiC 200მმ ვაფლის მისაღებად 525მმ სისქით ან მეტი.