Dia300x1.0mmt სისქის საფირონის ვაფლი C-Plane SSP/DSP

Მოკლე აღწერა:

Shanghai Xinkehui New Material Co., Ltd.-ს შეუძლია აწარმოოს საფირონის ვაფლები სხვადასხვა ზედაპირის ორიენტირებით (c, r, a და m-სიბრტყე) და აკონტროლოს მოჭრილი კუთხე 0,1 გრადუსამდე.ჩვენი საკუთრების ტექნოლოგიის გამოყენებით, ჩვენ შეგვიძლია მივაღწიოთ მაღალ ხარისხს, რომელიც საჭიროა ისეთი აპლიკაციებისთვის, როგორიცაა ეპიტაქსიალური ზრდა და ვაფლის შეკვრა.

გამოგვიგზავნეთ ელ.წერილი

პროდუქტის დეტალი

პროდუქტის ტეგები

ვაფლის ყუთის წარმოდგენა

კრისტალური მასალები	99,999% Al2O3, მაღალი სისუფთავე, მონოკრისტალური, Al2O3
ბროლის ხარისხი	ჩანართები, ბლოკის ნიშნები, ტყუპები, ფერი, მიკრო ბუშტები და დისპერსიული ცენტრები არ არსებობს
დიამეტრი	2 ინჩი	3 ინჩი	4 ინჩი	6 ინჩი ~ 12 ინჩი
დიამეტრი	50,8± 0,1 მმ	76,2±0,2 მმ	100±0.3 მმ	სტანდარტული წარმოების დებულებების შესაბამისად
სისქე	430±15 მკმ	550±15 მკმ	650±20 მკმ	შეიძლება მორგებული იყოს მომხმარებლის მიერ
ორიენტაცია	C- სიბრტყე (0001) M- სიბრტყემდე (1-100) ან A- სიბრტყე (1 1-2 0) 0,2±0,1° /0,3±0,1°, R- სიბრტყე (1-1 0 2), A- სიბრტყე (1 1-2 0 ), M- თვითმფრინავი (1-1 0 0), ნებისმიერი ორიენტაცია , ნებისმიერი კუთხე
პირველადი ბრტყელი სიგრძე	16.0±1 მმ	22.0±1.0 მმ	32,5±1,5 მმ	სტანდარტული წარმოების დებულებების შესაბამისად
პირველადი ბრტყელი ორიენტაცია	A- თვითმფრინავი (1 1-2 0 ) ± 0,2°
TTV	≤10 μm	≤15 μm	≤20 μm	≤30 μm
LTV	≤10 μm	≤15 μm	≤20 μm	≤30 μm
TIR	≤10 μm	≤15 μm	≤20 μm	≤30 μm
მშვილდი	≤10 μm	≤15 μm	≤20 μm	≤30 μm
გადახვევა	≤10 μm	≤15 μm	≤20 μm	≤30 μm
წინა ზედაპირი	Epi-Polished (Ra< 0.2nm)

* მშვილდი: თავისუფალი, დაუმაგრებელი ვაფლის მედიანური ზედაპირის ცენტრალური წერტილის გადახრა საორიენტაციო სიბრტყიდან, სადაც საცნობარო სიბრტყე განისაზღვრება ტოლგვერდა სამკუთხედის სამი კუთხით.

*Warp: განსხვავება თავისუფალი, დაუმაგრებელი ვაფლის მედიანური ზედაპირის მაქსიმალურ და მინიმალურ მანძილებს შორის ზემოთ განსაზღვრული საცნობარო სიბრტყიდან.

მაღალი ხარისხის პროდუქტები და მომსახურება შემდეგი თაობის ნახევარგამტარული მოწყობილობებისთვის და ეპიტაქსიალური ზრდისთვის:

სიბრტყის მაღალი ხარისხი (კონტროლირებადი TTV, მშვილდი, მრგვალი და ა.შ.)

მაღალი ხარისხის გაწმენდა (დაბალი ნაწილაკების დაბინძურება, დაბალი ლითონის დაბინძურება)

სუბსტრატის ბურღვა, ღარები, ჭრა და უკანა პოლირება

ისეთი მონაცემების მიმაგრება, როგორიცაა სუბსტრატის სისუფთავე და ფორმა (სურვილისამებრ)

თუ თქვენ გჭირდებათ საფირონის სუბსტრატები, გთხოვთ დაუკავშირდეთ:

ფოსტა:eric@xkh-semitech.com+86 158 0194 2596 /doris@xkh-semitech.com+86 187 0175 6522

ჩვენ დაგიბრუნდებით რაც შეიძლება მალე!