SiC
-
4H-N 8 დიუმიანი SiC სუბსტრატის ვაფლი Silicon Carbide Dummy Research grade 500um სისქე
-
4H-N/6H-N SiC ვაფლის კვლევის წარმოება Dummy grade Dia150mm სილიკონის კარბიდის სუბსტრატი
-
8 დიუმიანი 200მმ სილიკონის კარბიდი SiC ვაფლები 4H-N ტიპის წარმოების ხარისხი 500მმ სისქე
-
HPSI SiC ვაფლის დიამეტრი: 3 ინჩის სისქე: 350 მმ± 25 მკმ Power Electronics-ისთვის
-
8 დიუმიანი SiC სილიკონის კარბიდის ვაფლი 4H-N ტიპის 0.5მმ წარმოების ხარისხის კვლევის კლასის მორგებული გაპრიალებული სუბსტრატი
-
3 დიუმიანი მაღალი სისუფთავის ნახევრად საიზოლაციო (HPSI) SiC ვაფლი 350 უმნიანი Dummy grade Prime grade
-
P- ტიპის SiC სუბსტრატი SiC ვაფლი Dia2inch ახალი პროდუქტი
-
2 ინჩიანი 6H-N სილიკონის კარბიდის სუბსტრატი Sic ვაფლი ორმაგი გაპრიალებული გამტარი პირველადი კლასის Mos Grade
-
SiC სილიკონის კარბიდის ვაფლი SiC ვაფლი 4H-N 6H-N HPSI (მაღალი სისუფთავის ნახევრად საიზოლაციო) 4H/6H-P 3C -n ტიპი 2 3 4 6 8 დიუმი ხელმისაწვდომია
-
2 დიუმიანი Sic სილიციუმის კარბიდის სუბსტრატი 6H-N ტიპი 0.33მმ 0.43მმ ორმხრივი გაპრიალება მაღალი თბოგამტარობა დაბალი ენერგიის მოხმარება
-
SiC სუბსტრატი 3 დიუმიანი 350უმ სისქის HPSI ტიპის Prime Grade Dummy კლასის
-
სილიკონის კარბიდი SiC Ingot 6inch N ტიპის Dummy/prime grade სისქე შეიძლება მორგებული იყოს