SiC
-
3 ინჩიანი 76.2 მმ 4H-ნახევრად SiC სუბსტრატის ვაფლი სილიციუმის კარბიდის ნახევრად შეურაცხმყოფელი SiC ვაფლები
-
3 ინჩიანი დიამეტრი 76.2 მმ SiC სუბსტრატები HPSI Prime Research და Dummy კლასის
-
4H-ნახევრად HPSI 2 დიუმიანი SiC სუბსტრატის ვაფლი, წარმოების იმიტაცია, კვლევის კლასი
-
2 დიუმიანი SiC ვაფლები 6H ან 4H ნახევრად იზოლირებული SiC სუბსტრატები, დიამეტრი 50.8 მმ
-
4H-N 4 დიუმიანი SiC სუბსტრატის ვაფლი სილიციუმის კარბიდის წარმოების მანეკენი, კვლევის კლასი
-
6 დიუმიანი 150 მმ სილიციუმის კარბიდის SiC ვაფლები 4H-N ტიპის MOS ან SBD წარმოების კვლევისა და დუემ კლასისთვის
-
2 დიუმიანი სილიციუმის კარბიდის ვაფლები 6H ან 4H N ტიპის ან ნახევრად იზოლირებული SiC სუბსტრატები
-
8 ინჩიანი 200 მმ 4H-N SiC ვაფლის გამტარი მანეკენი, კვლევითი კლასის
-
2 დიუმიანი სილიციუმის კარბიდის ვაფლები 6H ან 4H N ტიპის ან ნახევრად იზოლირებული SiC სუბსტრატები